最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大有效值电压（VRMS）：70V
　　最大平均整流电流（IO）：1.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（@8.3ms单半正弦波）
　　正向电压（VF）：0.875V（典型值），1.0V（最大值，@IF=1.5A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：0.1mA（典型值），1.0mA（最大值，@VR=100V, TJ=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻抗（RθJA）：约60°C/W（依PCB布局而定）
　　封装类型：TO-277（D-PAK）

150KSR10的核心特性之一是其低正向导通压降，这主要得益于其肖特基势垒结构的设计原理。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，从而避免了少数载流子的注入和存储效应，显著降低了正向压降。在1.5A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.875V，最大不超过1.0V，这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常小，有助于提升电源系统的整体效率并减少散热需求。这一特性在低压大电流输出的开关电源、DC-DC转换器以及同步整流替代方案中尤为重要。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。由于肖特基二极管本质上是一种多数载流子器件，不存在反向恢复电荷（Qrr）或少子存储时间的问题，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计。这使得150KSR10在高频开关电路中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于工作频率较高的电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等。此外，快速的开关特性也有助于防止在续流过程中出现电压尖峰，从而保护主开关器件（如MOSFET）。
　　该器件还具备优良的热稳定性和宽泛的工作温度范围，结温可高达+175°C，确保其在高温环境下仍能可靠运行。其TO-277封装具有良好的热传导性能，通过适当的PCB铜箔设计可实现有效的散热管理。同时，器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（部分批次），可用于对可靠性要求较高的工业和车载应用。此外，150KSR10具有较低的反向漏电流，在常温下典型值仅为0.1mA，虽然随着温度升高漏电流会有所增加，但在大多数应用场景中仍处于可接受范围。综合来看，150KSR10凭借其低VF、快恢复、高可靠性及紧凑封装等优点，成为现代高效电源设计中的理想选择之一。

150KSR10广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高能效和紧凑设计的场合。一个典型的应用是在AC-DC电源适配器和充电器中作为次级侧的整流元件，替代传统的快恢复二极管以降低导通损耗，提高转换效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效规范要求。在笔记本电脑、手机、路由器等消费类电子产品的外置电源中，该器件常被用于输出整流环节，尤其适用于5V/12V输出电压等级的设计。
　　在DC-DC转换器中，150KSR10可用于非同步降压（Buck）或升压（Boost）电路的续流二极管，其低正向压降有助于减少环路损耗，提升轻载和满载条件下的整体效率。此外，在隔离型电源拓扑如反激式转换器中，它可作为次级侧的输出整流管使用，配合初级侧的PWM控制器和MOSFET实现稳定的直流输出。由于其具备一定的浪涌电流承受能力（30A），因此也能应对启动或负载突变时的瞬态电流冲击。
　　工业控制设备中的辅助电源模块、LED驱动电源、小型逆变器以及电信设备的板载电源系统也是150KSR10的重要应用领域。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合SMT流水线作业，提高了生产效率和产品一致性。此外，由于其工作温度范围宽，也可用于环境温度较高的工业现场或封闭式外壳内的电源单元。在某些特定设计中，该器件还可作为防反接保护二极管或电池充电管理电路中的隔离元件使用，发挥其单向导电性和快速响应的优势。

SBT150100P3,SBR1H100P3F,MBR15100