型号：14N60-TC
　　封装：TO-220C
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：600V
　　连续漏极电流(ID)@25℃：14A
　　脉冲漏极电流(IDM)：56A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))@10V：≤0.28Ω
　　导通电阻(RDS(on))@10V, 125℃：≤0.45Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0~4.0V
　　输入电容(Ciss)：1200pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：150pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　最大功耗(PD)：125W @ Tc=25℃
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃

14N60-TC具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在600V高耐压条件下仍能保持相对较低的导通电阻，从而有效降低导通损耗，提升整体电源转换效率。该MOSFET采用优化的平面工艺设计，确保了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。其RDS(on)在常温下不超过0.28Ω，在高温环境下（如125℃）也不会显著劣化，体现了良好的温度稳定性。这对于长时间运行于高温环境中的电源设备尤为重要，可避免因热失控导致的器件损坏。
　　该器件具有较快的开关速度，输入电容和输出电容较小，使得驱动电路所需的驱动功率较低，能够与多种主流PWM控制芯片良好匹配。同时，其反向恢复时间较短（典型值30ns），有助于减少体二极管反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统的电磁兼容性。栅极阈值电压范围适中（2.0~4.0V），支持3.3V或5V逻辑电平驱动，兼容性强，尤其适合用于数字化电源控制系统。
　　在安全性和可靠性方面，14N60-TC具备优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保护自身不被击穿。其TO-220C封装不仅机械强度高，而且热阻较低（约1.4℃/W），有利于热量从芯片传导至散热器，从而延长器件使用寿命。此外，该封装符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保的要求。总体而言，14N60-TC是一款性价比高、通用性强的中高压MOSFET，适用于各类工业电源、消费类电器电源模块及照明驱动电源等应用场景。

14N60-TC主要应用于各种中低功率的开关模式电源（SMPS）系统中，例如AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源、电视和显示器内置电源等。由于其600V的高耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85V~265V AC）的离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用。在这些应用中，14N60-TC负责将整流后的高压直流电通过高频开关动作传递到变压器初级侧，实现能量的高效传输与电压变换。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其是在光伏逆变器、小型UPS不间断电源、电动工具电源模块等对效率和可靠性要求较高的场合。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率，减少发热，从而提升系统整体能效等级。在电机控制领域，14N60-TC可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转和调速功能。
　　在工业控制设备中，如PLC电源模块、传感器供电单元、继电器驱动电路等，14N60-TC也可作为功率开关元件使用。其高输入阻抗和低驱动电流需求使得控制电路设计更加简洁，降低了系统复杂度。同时，由于其具备良好的抗干扰能力和热稳定性，能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。此外，在一些家电产品如空调、洗衣机、微波炉的控制板上，该MOSFET也常用于控制加热元件或压缩机的通断操作。总之，14N60-TC凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用性，已成为中小功率电力电子系统中的关键元器件之一。

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　　 "14N60",
　　 "K14N60",
　　 "FQA14N60",
　　 "STP14NK60ZFP",
　　 "FQPF14N60C",
　　 "2SK2977"
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