时间：2025/12/27 8:18:01
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14N50L-TA3-T是一款由Diodes Incorporated生产的高压MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET系列。该器件设计用于高效率开关电源应用，具有优良的开关特性和低导通电阻，适用于多种电力电子系统中的功率控制和转换任务。其命名规则中，“14N”表示其导通电阻与电流等级，“50”代表其漏源击穿电压为500V，“L”通常表示低栅极电荷特性，“TA3-T”为封装与卷带规格代码，表明其采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，适合自动化贴片生产。这款MOSFET在设计上优化了动态性能与热稳定性，能够有效减少开关损耗并提升整体能效。14N50L-TA3-T广泛应用于AC-DC开关电源、适配器、LED驱动电源、DC-DC转换器以及待机电源等场合，尤其适合对空间布局和散热性能有要求的设计。其可靠的结构和稳定的电气参数使其成为工业控制、消费电子及通信设备中常用的功率开关元件之一。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和高温工作稳定性，能够在严苛的工作环境下保持长期运行的可靠性。
类型：N沟道
极性：增强型
漏源电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：14A @ 100°C
漏极脉冲电流（Idm）：56A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V, Id=7A
导通电阻（Rds(on)）：0.47Ω @ Vgs=10V, Id=14A
阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
栅极电荷（Qg）：63nC @ Vds=400V, Id=14A
输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：47ns
最大功耗（Pd）：50W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
