14FLZT-SM1-TF是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装(SMD)肖特基势垒二极管阵列,采用共阴极配置,适用于高频开关和整流应用。该器件集成两个独立的肖特基二极管,封装为小型化的S-Mini(SOD-523FL)封装,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适合在高效率电源转换系统中使用。14FLZT-SM1-TF广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及需要紧凑设计和高性能表现的场合。由于其优异的热稳定性和小尺寸特性,该器件非常适合用于空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。此外,该二极管符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101汽车级可靠性认证,因此也可用于车载电子系统中的信号处理与保护电路。器件的结构设计优化了电流分布和散热性能,在保证高可靠性的前提下实现了最小化的功耗损失。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:共阴极双二极管
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均正向整流电流(IO):300mA
峰值脉冲正向电流(IFSM):800mA
最大正向电压(VF):520mV @ 300mA
最大反向漏电流(IR):100μA @ 30V
反向恢复时间(trr):4ns
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-523FL (S-Mini)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:3
高度:0.7mm max
湿度敏感等级(MSL):1级
符合标准:RoHS, AEC-Q101
14FLZT-SM1-TF的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构,这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而显著降低了正向导通电压,通常在300mA电流下仅为520mV左右。这一低VF特性意味着在导通状态下产生的功率损耗更小,有助于提高整个系统的能效,特别适用于对能耗敏感的便携式设备。此外,由于没有少数载流子存储效应,肖特基二极管具备极快的开关速度,其反向恢复时间(trr)典型值仅为4ns,远低于普通整流二极管,这使其能够在高频开关环境中有效抑制反向电流尖峰,减少电磁干扰并提升转换效率。
该器件集成了两个共阴极连接的肖特基二极管,这种配置常用于双路同步整流或输入/输出隔离电路中,例如在DC-DC转换器或电压钳位保护电路中提供双向能量控制。共阴极设计简化了PCB布局,减少了外部元件数量,提升了系统集成度。同时,SOD-523FL超小型封装使器件占用极小的板面积,非常适合高密度组装需求。其低剖面设计(最大高度0.7mm)也适用于超薄终端产品。
14FLZT-SM1-TF具备良好的热稳定性与可靠性,可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作,确保在恶劣环境下的长期运行性能。器件通过AEC-Q101认证,表明其满足汽车电子元器件的严格可靠性要求,可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、传感器接口等场景。此外,该器件具有1级湿度敏感等级(MSL1),无需特殊烘烤处理即可直接进行回流焊工艺,提高了生产良率和装配便利性。整体而言,14FLZT-SM1-TF结合了高性能、小尺寸与高可靠性,是现代电子设计中理想的高频整流与保护解决方案。
14FLZT-SM1-TF因其低正向压降、快速响应和小型化封装,被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器整流环节,特别是在升压或降压拓扑结构中作为续流二极管或同步整流辅助元件,以降低能量损耗并提升电源效率。在电池管理系统中,该器件可用于防止反向电流流动,保护充电电路免受损坏。此外,在USB接口、移动电源、无线充电模块等低电压大电流应用场景中,其低VF特性有助于减少发热,延长设备续航时间。
在通信设备中,14FLZT-SM1-TF可用于信号路径的钳位与静电放电(ESD)保护,防止瞬态电压冲击损坏敏感IC。其快速响应能力使其能够及时抑制过压脉冲,保障数据传输的稳定性。在汽车电子领域,该器件适用于车身控制模块、车载摄像头、仪表盘显示驱动等非动力系统,提供可靠的电压箝位和反接保护功能。此外,在LED驱动电路中,它可以作为防倒灌二极管使用,避免多个LED支路之间的相互影响。
由于其符合AEC-Q101标准且具备优异的温度适应性,14FLZT-SM1-TF也适用于工业自动化设备、医疗仪器和物联网节点等对长期稳定性有较高要求的应用场景。其表面贴装形式支持自动化贴片工艺,适合大规模生产,进一步增强了其在现代电子产品中的适用性。
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"RB751S-30",
"BAT54C",
"SMS340",
"NSR03F30NXT5G",
"DMK1400U",
"FDGU6020P",
"MAX30004"
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