时间:2025/12/27 17:53:06
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14DN259B 是一款由Microchip Technology(原Micrel公司)生产的高性能、低功耗的双通道CMOS比较器集成电路。该器件专为需要高精度和快速响应的应用而设计,广泛应用于工业控制、电源管理、信号调理以及消费类电子产品中。14DN259B集成了两个独立的电压比较器,具有宽工作电压范围、低传播延迟和轨对轨输入输出特性,使其在多种模拟信号处理场景下表现出色。该芯片采用小型封装形式(如SOIC或TSSOP),适合空间受限的设计,并具备良好的温度稳定性,可在工业级温度范围内可靠运行。其内部电路经过优化,能够在低至2.5V的电源电压下稳定工作,同时支持最高达12V的供电电压,提供了极大的设计灵活性。此外,14DN259B内置了迟滞功能,有助于提高噪声 immunity,防止因输入信号抖动导致的误触发。该器件无需外部补偿,简化了外围电路设计,降低了整体系统成本。由于其出色的性能指标和可靠性,14DN259B常被用于电池管理系统、过压/欠压检测电路、窗口比较器、ADC驱动前端等关键应用场合。
型号:14DN259B
制造商:Microchip Technology
器件类型:双路电压比较器
通道数量:2
工作电压范围:2.5V 至 12V
静态电流:每通道典型值为 60μA
传播延迟:典型值为 80ns(@5V电源)
输入偏置电流:典型值为 1pA
输入失调电压:最大 ±3mV
输出类型:推挽式,轨对轨
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOIC-8、TSSOP-8
是否带迟滞:是
单位增益带宽:约 1.5MHz
共模输入电压范围:支持轨至轨
输出电流能力:源电流/灌电流典型值为 40mA
14DN259B 的核心优势之一在于其极低的输入偏置电流,典型值仅为1pA,这使得它非常适合用于高阻抗传感器信号的检测与处理,例如光电二极管或热电偶等微弱信号源的应用场景。这种极低的输入电流可以显著减少对信号源的影响,从而提升整个系统的测量精度。
另一个重要特性是其内置的迟滞功能。迟滞能够有效防止在输入信号接近阈值时由于噪声引起的输出振荡,尤其是在缓慢变化或存在干扰的模拟信号比较任务中表现尤为突出。这一特性免除了外部分立电阻网络实现迟滞的需求,不仅节省了PCB空间,还提高了系统的一致性和可靠性。
该器件支持轨对轨输入和输出操作,意味着它可以处理从地电平到电源电压的全范围输入信号,并且输出也能驱动至接近电源轨的水平,极大地扩展了其在单电源系统中的适用性。这对于便携式设备或低电压供电系统尤为重要。
14DN259B 具有快速的响应时间,传播延迟典型值为80ns,在高速信号监测和保护电路中可实现及时的动作响应,比如过压保护或电流限制检测。
此外,该芯片的工作温度范围覆盖-40°C至+125°C,符合工业级标准,确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。总体而言,14DN259B以其高精度、高稳定性、集成度高和使用简便等特点,成为现代电子系统中不可或缺的关键模拟组件之一。
14DN259B 被广泛应用于各类需要精确电压比较功能的电子系统中。在电源管理系统中,它常用于构建过压(OVP)、欠压(UVP)和上电复位(POR)电路,通过对主电源轨进行实时监控,确保系统在异常电压条件下自动关闭或重启,从而保护后级电路不受损坏。在电池供电设备中,如笔记本电脑、移动电源和便携式医疗仪器,14DN259B可用于电池电量检测和充放电控制逻辑判断。
在工业自动化领域,该器件适用于PLC模块中的信号隔离与电平转换、传感器接口调理电路以及位置检测系统中的零交叉检测。其高输入阻抗和低失调电压特性使其特别适合连接各种类型的模拟传感器,如温度、压力或光强传感器,实现精准的状态判断。
在消费类电子产品中,14DN259B 可用于LCD背光控制、按键唤醒检测、音频信号峰值检测等功能模块。此外,由于其推挽式输出结构支持直接驱动MOSFET栅极,因此也常见于开关电源的反馈控制环路或同步整流驱动电路中。
在测试与测量设备中,该芯片可用于构建窗口比较器,判断被测信号是否处于预设的安全区间内,进而触发报警或记录动作。其紧凑的封装形式和无需外部补偿的特点,进一步加快了产品开发周期,降低了生产成本。总之,凭借其优异的电气性能和广泛的适应能力,14DN259B 在通信设备、汽车电子、智能家居和物联网终端等多种应用场景中均展现出强大的实用性。
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