类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：9A
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

1409221 MOSFET采用了先进的平面技术，具有低导通电阻(Rds(on))，这使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，可在高压环境下稳定运行。1409221的封装设计提供了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性。其高速开关特性使其适用于高频转换器和逆变器等应用。此外，该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。1409221还具有良好的热保护性能，能够在极端温度条件下保持稳定运行。
　　在电气特性方面，1409221具有极低的导通压降，这有助于减少系统功耗并提高整体效率。同时，该器件的输入电容较小，从而降低了高频工作时的开关损耗。这些特性使1409221成为一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种高功率电子系统。
　　1409221的封装形式为TO-220，便于安装在散热片上，以确保在高功率操作时的热稳定性。该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品的设计要求。

1409221 MOSFET广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于需要高可靠性和高效能的电源管理应用。此外，该器件也可用于消费类电子产品，如电视电源和电源适配器。

IRF840, FQA9N60, STP9NK60Z