型号：13NM50-U2
　　制造商：Powerex（Mitsubishi Electric）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：13 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：52 A
　　最大功耗（Pd）：300 W
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.85 Ω（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）@最大值：1.05 Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V（典型值），范围3.0~6.0 V
　　输入电容（Ciss）：2300 pF @ 25°C
　　输出电容（Coss）：480 pF @ 25°C
　　反向传输电容（Crss）：90 pF @ 25°C
　　栅极电荷（Qg）：85 nC @ 10V Vgs
　　体二极管反向恢复时间（trr）：约110 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

13NM50-U2的核心优势在于其在500V耐压等级下实现了较低的导通电阻和适中的栅极电荷，这使得它在硬开关拓扑如正激、反激、半桥和全桥变换器中表现出色。该MOSFET采用了优化的元胞设计和场板结构，有效降低了电场集中效应，提高了器件的雪崩能力和长期运行的可靠性。其Rds(on)在1.05Ω以内，意味着在13A负载电流下导通损耗约为180W，结合TO-247封装的良好热性能，可在配备适当散热条件下持续工作。
　　该器件的栅极驱动需求较为常规，标准10V至15V的驱动电压即可实现充分导通，兼容大多数常见的PWM控制器和驱动IC。同时，±30V的栅源电压容限提供了较好的抗噪声能力，防止因电压过冲导致栅氧层击穿。其输入电容和反向传输电容的数值经过优化，在高频应用中可减少驱动损耗并降低电磁干扰（EMI）。此外，体二极管具备较快的反向恢复特性（trr约110ns），虽不适用于零电压切换（ZVS）为主的谐振拓扑，但在传统的非谐振电路中足以应对多数换流需求。
　　13NM50-U2还具备良好的热稳定性，其正温度系数的导通电阻特性有助于多管并联时的电流均衡。在结温升高的情况下，单个MOSFET的导通压降增加，自然抑制了电流进一步集中，从而提升并联系统的可靠性。器件符合RoHS环保要求，并通过了严格的工业级测试标准，适用于长时间连续运行的严苛环境。总体而言，13NM50-U2是一款性能均衡、可靠性高的中高压MOSFET，适合对成本敏感但要求稳定性的工业电源设计。

13NM50-U2主要应用于各类中高功率开关电源系统，包括工业用AC-DC整流器、DC-DC变换器以及逆变电源。在不间断电源（UPS）系统中，它常被用于后级DC-AC逆变桥臂或前级PFC（功率因数校正）升压开关，承担高电压下的快速通断任务。由于其具备500V耐压和13A额定电流，特别适合输入电压为380V~400V DC母线的应用场景。
　　在电焊机电源中，13NM50-U2可用于主逆变电路，将直流高压转换为高频交流电，驱动变压器实现高效能量传递。其快速开关能力有助于减小磁性元件体积，提升整机功率密度。在感应加热设备中，该器件可工作于半桥谐振拓扑，配合LC谐振网络产生高频交变磁场，用于金属加热或熔炼。
　　此外，13NM50-U2也适用于电机驱动系统，尤其是在中小功率通用变频器中作为输出逆变开关使用。其良好的热特性和过载能力使其能够在短时过流工况下安全运行。其他应用还包括高压LED驱动电源、充电桩内部辅助电源模块以及太阳能微逆变器等新能源领域。由于采用TO-247封装，易于集成到现有散热结构中，因此在需要维修替换或设计升级的场合也具有较高的通用性。

IXFH13N50P
　　STGF13NC50HD
　　FQP13N50