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13JL-BT-E(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 14:07:51 查看 阅读:27

13JL-BT-E(LF)(SN) 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的红外线发射二极管(Infrared Emitting Diode),主要用于需要红外光源的应用场合,如红外遥控、光电传感器、光隔离器以及各类光电检测系统。该器件采用表面贴装技术(SMT)封装,具体为 ChipLED 封装形式,具有紧凑的尺寸和良好的光学性能,适合高密度 PCB 布局。其型号中的 (LF) 表示该产品符合无铅(Lead-Free)制造标准,符合 RoHS 环保指令要求;(SN) 可能代表卷带包装(tape and reel)或特定批次/代码标识,适用于自动化贴片生产流程。该红外发射管的发光波长典型值位于 940nm 附近,属于近红外区域,能够与多种硅基光电探测器(如光电二极管、光电晶体管)良好匹配,实现高效的光电转换。此外,该器件具有较高的辐射强度和较快的开关响应速度,支持脉冲调制工作模式,常用于需要抗干扰能力的通信场景。

参数

类型:红外发射二极管
  波长类型:峰值波长(λP)
  峰值波长:940 nm
  正向电压(VF):1.35 V(典型值)
  最大正向电流(IF):100 mA
  反向电压(VR):5 V
  辐射强度(Ie):50 mW/sr(典型值)
  半强度角:±20°
  上升时间(tr):100 ns
  下降时间(tf):100 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +100°C
  存储温度范围:-40°C ~ +100°C
  封装类型:ChipLED
  安装方式:表面贴装(SMD)
  RoHS合规性:符合

特性

13JL-BT-E(LF)(SN) 具备优异的光电性能和可靠性,其核心发光材料采用砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)半导体结构,能够在低驱动电压下高效发射 940nm 波长的红外光。该波长在空气中传播损耗小,且不易受可见光干扰,因此非常适合用于消费类电子产品的遥控系统,例如电视、空调、音响等设备的红外遥控器中作为发射源。器件的正向电压仅为 1.35V 左右,在 20mA 工作电流下即可提供足够的辐射强度,有利于降低系统功耗,延长电池寿命,特别适用于便携式或电池供电设备。
  该器件采用 ChipLED 封装,外形小巧,典型尺寸约为 1.6 mm × 0.8 mm × 0.8 mm,极大节省了 PCB 空间,同时具备良好的热稳定性和机械强度。其 ±20° 的发射角度提供了适中的光束集中度,既能保证一定的指向性,又允许一定程度的对准误差,提升了系统装配的容差能力。快速的开关响应时间(上升/下降时间均为 100ns)使其能够支持高达数百 kHz 的调制频率,满足红外数据传输协议(如 NEC、RC-5)的要求,有效防止环境光干扰并提高信号完整性。
  此外,该器件设计符合 RoHS 标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色环保电子产品制造。其工作与存储温度范围宽达 -40°C 至 +100°C,可在严苛的工业或户外环境中稳定运行。由于采用 SMD 封装,支持回流焊工艺,适合大规模自动化生产,提高了生产效率和产品一致性。整体而言,13JL-BT-E(LF)(SN) 是一款高性能、低成本、高可靠性的红外发射解决方案,广泛应用于家用电器、工业控制、安防监控和人机交互系统中。

应用

主要用于红外遥控发射器、光电开关、接近传感器、光隔离器、红外数据通信模块、自动感应设备(如自动水龙头、干手器)、烟雾探测器、工业自动化控制系统以及各类需要非接触式信号传输的场合。该器件也常用于智能家电、消费电子和物联网终端设备中的红外接口模块。

替代型号

VSMY2943X01, TSAL7400, IR2638A, SFH485P, L-53F3BT

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