时间：2025/10/11 6:06:42
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13FXV-RSM1-GAN-TF是一款由Qorvo（原United Monolithic Semiconductors, UMS）推出的高性能氮化镓（GaN）单片微波集成电路（MMIC）功率放大器芯片，专为X波段和Ku波段的高频率、高效率应用设计。该器件基于先进的GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）工艺制造，具备优异的热性能和高频特性，适用于雷达系统、电子战（EW）、通信基础设施以及卫星通信等高端射频应用场景。该芯片采用紧凑型表面贴装封装（SMD），便于在高密度射频电路板中集成，并支持宽带工作模式。
作为一款高功率密度的毫米波放大器，13FXV-RSM1-GAN-TF能够在8 GHz至13 GHz范围内稳定工作，提供高达20 W（约43 dBm）的饱和输出功率，同时保持较高的功率附加效率（PAE）。其内部集成了多级增益级和输入/输出匹配网络，减少了外部元件需求，简化了系统设计复杂度。此外，该器件具备良好的线性度和瞬态响应能力，适合脉冲和连续波（CW）操作模式，满足军用与商用高端射频系统的严苛要求。
型号：13FXV-RSM1-GAN-TF
制造商：Qorvo (UMS)
工艺技术：GaN-on-SiC
工作频率范围：8 - 13 GHz
输出功率（Psat）：20 W (43 dBm)
小信号增益：22 dB
功率附加效率（PAE）：50%
输入VSWR：2:1
输出VSWR：3:1
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：Surface Mount (SMD)
供电电压（Vds）：28 V
静态漏极电流（Idq）：典型值 350 mA
输入回波损耗：>10 dB
输出回波损耗：>8 dB
13FXV-RSM1-GAN-TF的核心优势在于其基于GaN-on-SiC的半导体工艺，这使得它在高频操作下仍能维持出色的功率密度、效率和可靠性。相比传统的砷化镓（GaAs）技术，GaN技术可提供更高的击穿电压、更高的工作温度容忍度以及更强的功率处理能力。因此，这款器件特别适合需要长时间高负载运行的军事雷达和空中交通管制系统。其宽频带特性允许在多个子频段内实现一致的性能表现，无需频繁调整匹配电路。
该芯片内部集成了完整的多级放大架构，包含输入缓冲级、驱动级和最终的功率输出级，所有这些都在单片上完成，确保了良好的相位一致性和最小的寄生效应。此外，片上匹配网络优化了50 Ω系统的输入输出阻抗，大幅降低了客户在外部进行复杂微带线调谐的需求，缩短了产品开发周期。这种“即插即用”式的设计理念显著提升了系统集成效率。
在热管理方面，得益于SiC衬底的高导热性，13FXV-RSM1-GAN-TF能够有效散发大功率工作时产生的热量，避免因局部过热导致性能下降或器件损坏。器件的工作结温最高可达+225°C，保证了在极端环境下的长期稳定性。同时，该芯片具备优良的抗驻波比能力（可承受输出端口3:1 VSWR），增强了在实际部署中面对天线失配等情况下的鲁棒性。
电气方面，该器件在28 V电源供电下仅需约350 mA静态电流，即可实现超过22 dB的小信号增益，在满功率输出时PAE达到50%，这意味着能量转换效率高，有助于降低系统整体功耗和散热负担。此外，它的脉冲工作模式支持快速开启/关闭响应，适用于现代脉冲多普勒雷达所需的精确时间控制。整体而言，13FXV-RSM1-GAN-TF代表了当前固态射频功率放大器在高频、高效、高可靠方向上的先进水平。
13FXV-RSM1-GAN-TF广泛应用于对性能要求严苛的高端射频系统中。其主要使用场景包括X波段和Ku波段的地面及机载雷达系统，如火控雷达、监视雷达和气象雷达，能够在远距离探测目标的同时保持高分辨率和抗干扰能力。此外，该器件也适用于电子战（EW）系统中的干扰发射模块，利用其宽带特性和高输出功率实施有效的电磁压制。在民用领域，该芯片可用于高容量点对点微波通信链路、卫星上行站发射前端以及测试测量设备中的信号源构建模块。由于其支持脉冲和连续波两种模式，还可用于科研实验中的高功率微波产生装置。考虑到其工业级和军规级的工作温度范围，该器件同样适用于航空航天和国防平台上的紧凑型发射系统集成。
TGA2615-SL
TQM3M9007
CMD293P4
AMMC-6700
