13826722 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,适用于需要高效能和稳定性的电子设备中。
这款功率 MOSFET 采用先进的半导体制造工艺,在保证性能的同时优化了成本结构,使其成为工业控制、消费电子以及汽车电子领域的理想选择。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
功耗(Ptot):150W
工作温度范围:-55℃ to 150℃
13826722 的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度和较低的栅极电荷 (Qg),适合高频应用。
3. 强大的散热能力和高温耐受性,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
4. 小型化的封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化的设计方案中。
13826722 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
5. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
6. 各种需要高效能功率切换的场景。
IRFZ44N, FDP5512, AO3400A