时间:2025/12/26 18:51:30
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12TQ045是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高效率、高频开关应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,具有低正向压降和快速反向恢复特性,能够显著降低开关损耗,提高电源转换效率。其封装形式为TO-277A(也称为S-PowerFLAT333),是一种小型化表面贴装功率封装,具备良好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型电源设计。12TQ045广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式电子产品中的DC-DC转换器、续流二极管、极性保护和整流电路等场景。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件可在较宽的温度范围内稳定工作,满足严苛的工业环境要求。此外,该产品符合RoHS环保标准,并具备无卤素设计,适应现代绿色电子制造的需求。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复峰值反向电压(VRRM):45V
最大直流阻断电压(VR):45V
平均整流电流(IO):6A(每芯片)
峰值非重复浪涌电流(IFSM):40A
最大正向压降(VF):0.55V @ 3A,0.62V @ 6A(典型值)
最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 25°C,1.0mA @ 100°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-277A(S-PowerFLAT333)
引脚数:3
热阻(RθJA):约40°C/W(依PCB布局而定)
安装方式:表面贴装(SMD)
12TQ045的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,从而大幅减少导通损耗,提升系统能效。在3A电流下,其典型正向压降仅为0.55V,在6A时也仅0.62V,相较于传统PN结二极管可显著降低功耗并减少散热需求。这种低VF特性特别适合用于低压大电流的DC-DC同步整流拓扑中,例如在笔记本电脑、路由器或FPGA供电模块中作为续流或输出整流二极管使用。
该器件具备快速开关能力,由于肖特基二极管本身属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计(trr < 5ns),有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统的稳定性和可靠性。这一特性使其非常适合高频开关电源(如工作频率超过500kHz的Buck、Boost或Flyback转换器)中替代快恢复二极管,避免因反向恢复电荷引起的额外损耗。
12TQ045采用双共阴极结构,即两个阳极独立、阴极共接的设计,便于在双路输出或多相电源中实现对称布局,简化PCB布线并优化热分布。其TO-277A封装具有较小的占位面积(约3.3mm x 3.3mm),同时底部带有散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层地平面,实现优异的热管理性能。该封装还支持自动化贴片生产,适合大规模SMT工艺,提高了生产效率与一致性。
器件的工作结温可达+150°C,确保在高温环境下仍能可靠运行;同时具备良好的浪涌电流承受能力(IFSM=40A),可应对启动或瞬态负载条件下的电流冲击。此外,产品通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于对长期稳定性要求较高的工业与通信应用。整体而言,12TQ045是一款兼顾高性能、小型化与高可靠性的先进肖特基二极管解决方案。
12TQ045主要应用于各类需要高效、高频整流功能的电源系统中。常见于同步降压(Buck)转换器中的续流二极管角色,尤其是在多相VRM(电压调节模块)中为CPU或GPU供电时,利用其低正向压降特性减少能量损失,提升整体电源效率。它也被广泛用于便携式设备如智能手机、平板电脑和平板电视的DC-DC电源模块中,帮助延长电池续航时间。
在AC-DC适配器和充电器中,12TQ045可用于次级侧整流环节,特别是在低输出电压(如5V、3.3V或更低)的应用中,其低VF优势更为明显。此外,在太阳能逆变器、LED驱动电源以及工业电源模块中,该器件可用作防反接保护二极管或电池充电回路中的隔离元件。
由于其快速响应能力和低噪声特性,12TQ045也适用于高频开关电源中的箝位电路、电压倍增器以及信号解调等场合。在通信基础设施设备(如基站电源、光模块供电单元)中,该器件有助于实现高密度电源设计,满足设备小型化和高功率密度的发展趋势。同时,其表面贴装封装形式适合自动化组装流程,广泛用于现代电子产品的大规模制造环境中。
SBT6U45SP5, B260LA-13-F, SS54-HF, MBRS645T3G