类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值0.85Ω（最大值1.2Ω）
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值280pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F/TO-247

12N6LE具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高电压耐受能力与低导通损耗之间的良好平衡。该MOSFET的600V漏源击穿电压确保其可在通用交流输入（85VAC~265VAC）条件下安全运行，适用于反激式、正激式等多种拓扑结构的开关电源设计。器件的低RDS(on)有效降低了导通期间的I2R损耗，尤其在持续负载工况下显著提升能效表现，有助于满足能源之星或欧盟CoC等能效标准要求。
　　在动态特性方面，12N6LE具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这使得其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路的功耗并加快了开关速度。同时，较低的输出电容（Coss）也有助于降低关断过程中的能量损耗，进一步提升转换效率。器件的反向恢复特性经过优化，体二极管的反向恢复时间较短，减少了与之配合工作的续流二极管或同步整流MOSFET的电压尖峰风险，增强了系统的EMI性能。
　　从可靠性角度看，12N6LE通过了严格的雪崩测试，具备一定的单脉冲和重复脉冲雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保持安全工作。其封装采用环保材料，符合RoHS指令要求，并具备良好的机械强度和绝缘性能，适用于自动化贴装和波峰焊工艺。此外，该器件还内置了热关断保护机制，在极端温升情况下可防止永久性损坏，延长使用寿命。
　　总体而言，12N6LE在性能、成本和可靠性之间实现了良好折衷，是中小功率电源产品中理想的主开关器件选择之一，尤其适合对空间布局和散热设计有较高要求的应用场景。

12N6LE主要用于各类中低功率开关模式电源系统中，作为主开关器件实现电能的高效转换与控制。典型应用场景包括但不限于：手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块、LED照明驱动电源以及家用电器中的辅助电源（待机电源）。在这些应用中，12N6LE通常工作在反激式（Flyback）拓扑结构中，负责将整流后的高压直流电通过高频斩波传输到次级侧，实现电压变换与隔离。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在输入电压较高的工业控制系统中，如PLC电源模块、智能电表供电单元等。由于其具备较高的电压裕量和良好的瞬态响应能力，12N6LE还可应用于太阳能微逆变器、小型UPS不间断电源以及电动工具电池管理系统中的功率切换环节。
　　在电机控制领域，12N6LE可用于驱动小功率直流电机或步进电机的H桥电路中，作为上桥臂或下桥臂开关元件，实现正反转与调速功能。其快速开关特性有助于减少换相过程中的能量损耗，提高驱动效率。
　　在工业照明与城市景观照明系统中，基于12N6LE的恒流驱动方案被广泛采用，以实现LED灯串的稳定亮度输出。配合专用的PWM控制芯片，可实现调光功能，满足智能照明系统的节能需求。此外，该器件也可用于电子镇流器、冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器等传统照明设备中，提供可靠的高压高频切换能力。
　　综上所述，12N6LE凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，在消费电子、工业控制、照明电源等多个领域均有广泛应用，是一款成熟且经过市场验证的关键功率半导体器件。

12N60, 12N60E, K12N60, FQPF12N60, STP12NM60FD