时间：2025/12/27 9:07:51
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12N60-ML是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用先进的平面条状VDMOS工艺设计制造，具有高可靠性、低导通电阻和优良的热稳定性。该器件通常应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种中等功率电子设备中。其额定电压为600V，能够承受较高的漏源击穿电压，适用于需要较高工作电压的电路环境。封装形式一般为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合通孔插装工艺，在工业控制、消费类电子和照明电源等领域广泛应用。由于其具备较快的开关速度与较低的栅极电荷，12N60-ML在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统整体效率并减少能量损耗。此外，该器件还内置了快速恢复体二极管，可在感性负载切换过程中提供反向电流路径，提升系统安全性和稳定性。
型号：12N60-ML
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：12A（@25℃）
最大脉冲漏极电流（Idm）：48A
最大栅源电压（Vgs）：±30V
阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（@Vgs=10V, Id=6A）
最大功耗（Pd）：125W
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
12N60-ML采用了成熟的平面型场效应晶体管技术，确保了在高压环境下依然保持稳定的电气性能。其核心优势之一是具备高达600V的漏源击穿电压，使其能够在AC-DC适配器、离线式SMPS等高电压输入场合下可靠运行。该器件的低导通电阻特性有效降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了系统的整体能效，并减少了对散热结构的依赖。在高温工作条件下，12N60-ML仍能维持较好的电流承载能力，得益于其优良的热阻设计和材料选择。此外，该MOSFET具有较低的输入电容和反馈电容，使得在高频开关操作中所需的驱动功率更小，有利于简化驱动电路设计并提升响应速度。
另一个关键特性是其出色的抗雪崩能力和抗过载能力，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护，延长器件寿命并增强系统鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间，适用于存在反向电流需求的应用场景，如桥式电路或续流路径。同时，12N60-ML符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。通过严格的老化测试和可靠性验证，该器件在长期运行中表现出优异的稳定性和一致性，是中功率电力电子设计中的理想选择之一。
12N60-ML广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，包括但不限于手机充电器、LED驱动电源、PC电源模块、LCD电视电源板及工业用AC-DC转换器。它也常见于DC-DC升压或降压变换器中作为主开关管使用，尤其适合工作频率在几十kHz到上百kHz之间的应用场景。此外，该器件可用于小型电机控制电路、逆变器、UPS不间断电源以及家用电器中的功率控制部分。在照明领域，12N60-ML可作为电子镇流器或节能灯电源的核心开关元件。由于其具备良好的动态性能和热稳定性，也可用于太阳能微逆变器、智能电表电源模块等新兴应用领域。凭借其高性价比和成熟的技术平台，12N60-ML已成为许多中低端功率电子产品的首选MOSFET之一。
K12N60F, FQPF12N60C, STP12N60M2, IRFBC20, FCH12N60
