时间：2025/12/27 9:03:58
阅读：17
12N50Z-TC是一款由UTC（友顺科技股份有限公司）生产的N沟道增强型高压MOS场效应晶体管，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、开关电源以及电机控制等中高功率场景。该器件采用TO-220/TO-220F或类似封装形式，具备良好的热稳定性和电气性能，适用于工业控制、消费电子及照明驱动等多种领域。其设计目标是提供高效、可靠的开关能力，在高频工作条件下仍能保持较低的导通损耗和开关损耗。12N50Z-TC中的“12N”代表其为N沟道结构且典型导通电阻与电流参数，“50”表示其漏源击穿电压为500V，“Z”通常表示快恢复体二极管特性或特定工艺优化版本，“TC”可能指代产品批次、环保等级或封装类型标识。该MOSFET通过优化栅极设计和硅片工艺，实现了低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），从而提升了开关速度并降低了驱动功率需求。此外，器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。由于其高耐压与适中的导通电阻平衡，12N50Z-TC常用于反激式开关电源、AC-DC适配器、LED恒流驱动电源等拓扑结构中作为主控开关元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：500V
连续漏极电流（ID @25℃）：12A
脉冲漏极电流（IDM）：48A
栅源阈值电压（VGS(th)）：3~5V
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）：≤0.65Ω
导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V, TJ=125℃）：≤1.0Ω
栅极电荷（Qg @ VDS=400V, ID=6A）：约50nC
输入电容（Ciss）：约1100pF
输出电容（Coss）：约190pF
反向恢复时间（trr）：≤100ns
最大功耗（PD）：125W
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
12N50Z-TC具备优异的电气特性和热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。其核心优势之一是高达500V的漏源击穿电压，使其适用于多种离线式开关电源设计，尤其是在通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下工作的反激变换器中表现出色。该器件的导通电阻在VGS=10V时低于0.65Ω，结合12A的额定连续漏极电流，能够有效降低导通期间的功率损耗，提升系统整体效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著减少了驱动电路所需的能量，提高了开关频率下的响应速度，并有助于减小EMI干扰。器件内部集成的快恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr ≤ 100ns），避免了传统MOSFET在硬开关应用中因体二极管拖尾电流引起的额外损耗和电压尖峰问题，特别适合用于连续导通模式（CCM）的PFC电路或同步整流辅助拓扑。
此外，12N50Z-TC采用了先进的平面工艺技术和高密度沟槽结构设计，确保了芯片在高电场强度下的均匀分布，提升了器件的抗雪崩能力和长期可靠性。其封装形式采用标准TO-220，具备良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提高功率处理能力。器件符合RoHS环保要求，无铅焊接兼容，适用于自动化贴装生产线。在瞬态过载或雷击浪涌条件下，该MOSFET展现出较强的耐受能力，能够在短时间内承受超过额定值的电压和电流冲击而不发生永久性损坏。综合来看，12N50Z-TC在性价比、性能表现和应用灵活性方面达到了良好平衡，是中等功率开关电源设计中的理想选择之一。
12N50Z-TC主要应用于各类需要高压、中大电流开关功能的电力电子设备中。常见用途包括但不限于：离线式反激开关电源（Flyback SMPS），用于手机充电器、笔记本适配器、家电电源模块等；LED恒流驱动电源，特别是在隔离式降压或反激拓扑中作为主开关管使用；DC-DC转换器中的功率级开关元件，适用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构；电机控制电路中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机；逆变器和UPS不间断电源中的初级侧开关单元；以及各类工业控制设备中的功率切换模块。此外，由于其具备较快的开关速度和较低的驱动损耗，也适用于高频谐振变换器或LLC半桥拓扑中的同步整流辅助开关。在照明领域，该器件可用于高压HID灯或荧光灯电子镇流器的设计中，实现高效的能量转换与调光控制。在消费类电子产品中，如电视、显示器、音响设备的内置电源板中也有广泛应用。得益于其高耐压与较强抗干扰能力，12N50Z-TC还被用于一些恶劣电磁环境下的工业传感器供电模块或远程通信设备电源单元。总之，只要涉及500V耐压等级、10A左右负载电流的开关应用场景，12N50Z-TC均是一个成熟且经济的选择。
12N50, 12N50L, FQP12N50, K12N50, KSE12N50, STP12N50ZFP, IRFBC40
