时间：2025/12/29 14:13:04
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12N50E 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制等领域。该器件具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适合于高效率和高频率的开关应用。12N50E通常采用TO-220或TO-262封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：12A（@25℃）
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.42Ω（最大0.52Ω）
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-262
12N50E具有出色的电气性能和热稳定性，适合高功率密度设计。
其高耐压能力（500V）使其适用于多种中高功率电源系统。
低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。
该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在开关过程中对电压尖峰的容忍度。
采用先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。
12N50E还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，降低开关损耗。
封装设计有利于散热，提升了在高电流应用中的稳定性。
器件的栅极驱动要求较低，兼容标准MOSFET驱动电路。
12N50E常用于各类电源设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、UPS不间断电源等。
此外，它也广泛应用于电机驱动、逆变器、LED驱动电源、充电器、工业自动化设备及各种功率控制电路中。
其高可靠性和优异的开关性能使其成为中高功率应用的理想选择。
12N50C, 15N50, FQA12N50C, IRFBC40
