时间:2025/12/26 20:28:25
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12CWQ10FNT是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用先进的平面化技术制造,专为高频、高效率电源应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,适用于需要低正向压降和快速开关性能的应用场景。12CWQ10FNT广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路以及极性保护电路中。其封装形式为D2PAK-3(即TO-263AB),属于热效率较高的表面贴装功率封装,便于在PCB上实现良好的散热管理。由于采用了肖特基势垒技术,该器件具备比传统PN结二极管更低的导通损耗和更快的反向恢复速度,从而显著提升系统整体能效,尤其适合便携式设备和绿色能源产品中的节能设计需求。此外,12CWQ10FNT具有较高的峰值电流承受能力,能够在瞬态负载条件下保持稳定工作,增强了系统的可靠性。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):100 V
平均整流电流(IO):12 A
峰值浪涌电流(IFSM):150 A
正向压降(VF):典型值0.54 V(在12A, 25°C时)
最大反向漏电流(IR):0.5 mA(在100V, 25°C时)
反向恢复时间(trr):≤ 5 ns
工作结温范围(TJ):-65 °C 至 +175 °C
封装类型:D2PAK-3 (TO-263AB)
安装方式:表面贴装
12CWQ10FNT的核心优势在于其卓越的电学性能与出色的热管理能力相结合。首先,作为一款肖特基二极管,它利用金属-半导体结形成势垒,避免了传统PN结中存在的少数载流子存储效应,因此具有极短的反向恢复时间(trr ≤ 5ns),几乎无反向恢复电荷,这使其在高频开关应用中表现优异,大幅降低开关损耗并减少电磁干扰(EMI)的产生。其次,该器件在12A大电流下仍能维持较低的正向压降(典型值仅为0.54V),这意味着在高负载条件下功耗更低,有助于提高电源转换效率,减少散热需求。
在结构设计方面,12CWQ10FNT采用D2PAK-3封装,该封装具有较大的焊盘面积,可通过PCB上的铜层有效传导热量,实现良好的热耗散。即使在恶劣的工作环境下,也能保证结温处于安全范围内,提升了长期运行的稳定性。此外,器件经过优化的芯片布局和内部连接工艺,确保了两个二极管之间的电气对称性和热耦合性,在并联使用或需要均流的应用中表现出色。
该器件还具备较强的抗浪涌能力,可承受高达150A的峰值浪涌电流,适用于可能出现瞬间过流的电源系统,如电机驱动、电池充电器等。宽泛的工作温度范围(-65°C至+175°C)使其可在极端环境温度下可靠运行,满足工业级和汽车级应用的严苛要求。同时,12CWQ10FNT符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,适用于汽车电子系统中的DC-DC变换器、辅助电源和LED照明驱动等关键部位。
12CWQ10FNT因其高性能和高可靠性,被广泛应用于多种电力电子系统中。在通信电源和服务器电源模块中,常用于次级侧整流电路,特别是在同步整流难以实现或成本敏感的设计中,其低VF特性可有效提升整机效率。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中,该器件可用于直流母线的续流与能量回馈路径,确保能量高效传输并防止电压反冲损坏主开关器件。
在汽车电子领域,12CWQ10FNT适用于车载充电机(OBC)、DC-DC转换器、电动助力转向(EPS)系统以及车身控制模块中的电源整流部分。其AEC-Q101认证和高温耐受能力使其能在发动机舱附近的高温环境中稳定运行。此外,在工业自动化设备、医疗电源、LED驱动电源等对效率和可靠性有较高要求的场合,该器件也常被用作输出整流二极管或反极性保护元件。
由于其双共阴极结构,12CWQ10FNT特别适合用于全波整流或中心抽头变压器输出的整流拓扑中,简化电路设计并减少元件数量。同时,其表面贴装封装支持自动化贴片生产,有利于提高制造效率和产品一致性,是现代高密度电源设计中的理想选择之一。
STPS12H100CT