时间:2025/10/28 9:32:16
阅读:9
12CWQ03FNTRPBF是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管阵列,采用共阴极双组配置,专为高效能、低电压开关应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管,封装在紧凑的表面贴装DFN-10(2x2mm)封装中,适用于空间受限且对热性能和电气性能要求较高的现代电子设备。12CWQ03FNTRPBF的主要优势在于其低正向压降、快速开关响应以及出色的热稳定性,使其成为同步整流、DC-DC转换器、电源管理单元和负载保护电路中的理想选择。该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101汽车级认证,具备良好的可靠性和耐久性,适合在工业、消费电子及汽车电子系统中广泛应用。得益于其高电流承载能力和优化的封装散热设计,12CWQ03FNTRPBF能够在高密度PCB布局中实现高效的能量转换,同时降低系统功耗与发热。
型号:12CWQ03FNTRPBF
制造商:ON Semiconductor
器件类型:肖特基二极管阵列(双共阴极)
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1.2A(每通道)
峰值脉冲正向电流(IFSM):15A
最大正向压降(VF):470mV @ 1A(典型值),650mV @ 1A(最大值)
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 25°C,100μA @ 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装类型:DFN-10(2x2mm)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:10
湿气敏感等级(MSL):1(无限制)
符合标准:RoHS,AEC-Q101
12CWQ03FNTRPBF的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,典型值仅为470mV,在1A电流下显著降低了导通损耗,提升了电源系统的整体效率。这对于电池供电设备或高效率DC-DC转换器尤为重要,能够有效延长续航时间并减少散热需求。此外,由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,因此具有极快的反向恢复速度,几乎无反向恢复电荷(Qrr接近于零),避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的开关损耗和电磁干扰问题,使得该器件非常适合用于高频开关电源拓扑结构,如同步整流BUCK/BOOST变换器。
该器件采用双共阴极配置,即两个阳极独立、共用一个阴极,这种结构常用于双路输出整流或双通道同步整流电路中,便于布局布线并提高功率密度。每个通道可承受1.2A的平均整流电流,峰值脉冲电流可达15A,具备较强的瞬态负载应对能力。DFN-10(2x2mm)封装不仅体积小巧,节省PCB空间,还通过底部散热焊盘有效提升热传导性能,使器件在高负载条件下仍能保持较低的结温,增强了长期运行的可靠性。
12CWQ03FNTRPBF通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证,表明其在极端温度循环、高温高湿偏置、机械冲击等严苛环境下的稳定表现,适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块、车身控制单元等汽车电子应用。同时,其宽工作结温范围(-55°C至+150°C)确保在工业级和汽车级温度环境中均可正常工作。器件符合RoHS指令,不含铅和有害物质,支持绿色制造。此外,MSL等级为1级,意味着在未开封状态下可无限期储存,降低了生产过程中的湿度控制成本。
12CWQ03FNTRPBF广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的多路DC-DC转换器,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,其中空间极为宝贵,且对能效要求极高。在这些设备中,该器件常被用作同步整流二极管,替代传统的PN二极管以降低功耗并提升转换效率。
在工业控制系统中,12CWQ03FNTRPBF可用于隔离电源、栅极驱动电源和辅助电源模块,提供快速响应和低损耗的整流功能。其优异的高频特性也使其适用于开关模式电源(SMPS)、AC-DC适配器和POL(Point-of-Load)转换器中。
由于通过AEC-Q101认证,该器件在汽车电子领域具有重要地位,常见于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器模块、LED照明驱动电源和电池管理系统(BMS)中,承担电压箝位、反向保护和整流任务。此外,在服务器和通信设备的电源板上,12CWQ03FNTRPBF可用于多相电压调节模块(VRM)中的续流或整流路径,确保高速动态负载下的稳定供电。
其他应用还包括USB Type-C PD电源路径管理、热插拔控制器中的反向电流阻断,以及任何需要低VF、快速恢复和小型化封装的高密度电源设计场景。其双通道共阴极结构特别适合双路输出电源架构,简化电路设计并提升系统集成度。
NSR2101FT2G
MBRS230LT3G
SSM3403TVL