时间:2025/12/26 18:55:35
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12CWQ03FNTRLPBF是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高效能、低电压应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具备优异的开关性能和低正向压降特性,适用于多种电源管理场景。其封装形式为DFN-10(双扁平无引脚),具有紧凑的尺寸和良好的热性能,适合高密度PCB布局。12CWQ03FNTRLPBF主要面向便携式电子设备、电池供电系统以及需要高效率直流-直流转换的场合。该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在汽车电子应用中具备高可靠性和稳定性。作为同步整流器或反向保护二极管,它能够在低输出电压条件下显著提升系统效率,减少能量损耗。此外,该型号采用卷带包装(Tape and Reel),便于自动化贴片生产,广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块及通信设备中。
类型:肖特基势垒二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):30V
平均整流电流(IO):1.2A
峰值脉冲电流(IFSM):15A
正向电压(VF):典型值0.34V(在1A,TA=25°C条件下)
反向漏电流(IR):最大10μA(在25°C)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装:DFN-10(3.5mm x 2.5mm)
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:10
热阻(RθJA):约50°C/W
产品等级:汽车级(AEC-Q101)
无铅/符合RoHS:是
12CWQ03FNTRLPBF的核心特性之一是其低正向导通压降,这得益于其采用的肖特基势垒技术。在1A电流下,其典型正向压降仅为0.34V,远低于传统PN结二极管,从而大幅降低了导通损耗,提升了电源转换效率。这一特性使其特别适用于低压大电流输出的同步整流拓扑结构,例如在降压型(Buck)转换器中替代MOSFET进行续流操作。同时,由于肖特基二极管本身具备快速开关能力,该器件几乎无反向恢复时间(trr ≈ 0),避免了因反向恢复电荷引起的开关损耗和电磁干扰问题,进一步增强了系统的稳定性和能效表现。
该器件集成了两个独立的肖特基二极管并以共阴极方式排列,形成双通道结构,允许在单一封装内实现多个功能,如双路输出整流或冗余保护电路设计。这种集成化设计不仅节省了PCB空间,还简化了布线复杂度,提高了整体系统的可靠性。DFN-10封装采用底部散热焊盘,能够有效将热量传导至PCB,提升热管理效率。即使在高负载条件下,也能维持较低的工作温度,延长器件寿命。
另一个重要特性是其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,意味着该器件经过严格测试,包括高温反偏、温度循环、机械冲击等,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。因此,它不仅可用于消费类电子产品,还可广泛应用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、电池管理系统(BMS)等对可靠性要求较高的领域。此外,器件无卤素且符合RoHS指令,满足现代绿色电子制造的需求。
12CWQ03FNTRLPBF广泛应用于各类需要高效能、低功耗二极管的电子系统中。在移动设备领域,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,常用于电池充电路径中的防反接保护与电源切换管理。由于其低正向压降和小封装尺寸,有助于延长电池续航时间并节省主板空间。在电源管理单元(PMU)中,该器件可用作DC-DC变换器的续流二极管或同步整流辅助元件,尤其适用于1V至5V的低压输出场景,显著提高转换效率。
在汽车电子方面,该器件适用于车身控制模块、车载导航系统、摄像头模组供电电路以及车内照明驱动等应用。其AEC-Q101认证确保了在-40°C至+125°C甚至更高结温环境下仍能可靠工作,适应发动机舱内外的极端温度变化。此外,在工业控制系统中,如PLC、传感器供电模块和隔离电源次级侧整流电路中,12CWQ03FNTRLPBF也发挥着重要作用,提供快速响应和低损耗的整流功能。
通信设备中的PoE(以太网供电)终端、路由器电源模块以及USB Type-C PD电源路径管理也是其典型应用场景。在此类系统中,器件需频繁承受瞬态电流冲击,而12CWQ03FNTRLPBF高达15A的峰值脉冲电流能力确保了良好的浪涌耐受性。同时,其表面贴装封装便于回流焊工艺,适合大规模自动化生产,提升了制造效率与一致性。
NSR03F30NT1G
SB1030-A12
MBRS130LT3G