时间:2025/12/26 18:50:13
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12CTQ035S是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的超快软恢复二极管阵列器件,主要用于高频开关电源、逆变器和高效率整流应用。该器件采用共阴极双二极管结构,适用于需要快速恢复特性和低正向压降的电路设计。12CTQ035S以其优异的开关性能和可靠性广泛应用于通信电源、工业电源以及消费类电子产品中。其封装形式为TO-220AC,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在高温环境下工作。该器件的设计重点在于减少反向恢复电流和电磁干扰(EMI),从而提高系统整体效率并降低噪声水平。此外,12CTQ035S符合RoHS环保要求,并具备可靠的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。由于其出色的动态特性,该器件特别适用于功率因数校正(PFC)电路和二次侧同步整流拓扑中作为续流或整流二极管使用。
类型:共阴极双二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100 V
最大直流阻断电压(VR):100 V
平均整流电流(IF(AV)):12 A
正向压降(VF):典型值0.54 V(在3 A, TJ = 25°C)
峰值非重复浪涌电流(IFSM):150 A
反向漏电流(IR):最大200 μA(在100 V, TJ = 25°C)
反向恢复时间(trr):典型值35 ns
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +175 °C
存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +175 °C
封装:TO-220AC
12CTQ035S的核心特性之一是其超快软恢复性能,这使得它在高频开关环境中表现出色。传统的快恢复二极管在关断过程中会产生较大的反向恢复电流尖峰,导致显著的开关损耗和电磁干扰。而12CTQ035S通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术,实现了非常平缓的反向恢复过程,即“软恢复”特性,有效抑制了电流振荡和电压尖峰。这种特性不仅降低了功率MOSFET或IGBT等开关器件的应力,还减少了系统的EMI辐射,有助于满足严格的电磁兼容性标准。此外,其极短的反向恢复时间(trr典型值仅为35ns)使其能够适应高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率,适用于现代高密度电源设计。
另一个关键优势是低正向压降(VF)。在3A导通电流下,其典型VF仅为0.54V,远低于传统肖特基二极管以外的普通PIN二极管。这一特性直接减少了导通期间的功率损耗,提升了电源转换效率,尤其在大电流输出的应用中效果更为明显。同时,该器件具备高达12A的平均整流电流能力,结合TO-220AC封装的良好散热性能,可以在不额外增加复杂散热措施的情况下处理较高的功率等级。
12CTQ035S还具备出色的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+175°C,允许在恶劣的热环境中长期运行。内部芯片与封装之间的低热阻设计确保热量能高效传导至散热器,延长器件寿命。此外,该器件经过严格的质量认证,具备高抗浪涌能力和一定的雪崩耐量,可在异常工况下提供更好的鲁棒性。总体而言,12CTQ035S凭借其高速、高效、高可靠性的综合表现,成为高性能电源系统中的理想选择。
12CTQ035S广泛应用于各类需要高效、高频整流的电力电子系统中。其主要应用场景包括开关模式电源(SMPS),尤其是在服务器电源、电信整流器和工业电源模块中作为输出整流或续流二极管使用。由于其低VF和快速恢复特性,它在提高整体能效方面发挥了重要作用,有助于实现80 PLUS钛金或铂金级别的高效率标准。此外,在功率因数校正(PFC)电路中,特别是在升压PFC拓扑中,12CTQ035S常被用作升压二极管,以减少二极管反向恢复对主开关管的冲击,提升系统稳定性和效率。
在DC-DC转换器中,尤其是低压大电流输出的同步整流架构中,虽然主整流功能通常由MOSFET完成,但12CTQ035S仍可作为辅助续流元件或用于特定保护电路中,提供可靠的单向导通路径。此外,该器件也适用于逆变器系统,如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的高频整流环节,帮助实现紧凑化设计和高功率密度。
其他应用还包括电池充电器、LED驱动电源、电机驱动器中的钳位和续流电路,以及各种消费类和工业类适配器。由于其TO-220封装易于安装和焊接,且具备良好的电气隔离性能(取决于PCB布局),因此在多种PCB安装方式中都能灵活使用。总的来说,凡是要求低损耗、高频率、高可靠性的整流场合,12CTQ035S都是一个极具竞争力的解决方案。
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VS-12CTQ035-M3
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