容量：1200 pF (1.2 nF)
　　容差：±5%
　　单位：皮法（pF）
　　命名规则：三位数编码法
　　温度系数：依介质材料而定
　　额定电压：依具体型号而定
　　封装尺寸：依具体型号而定

122J 所代表的电容特性主要取决于其介质材料和制造工艺。以最常见的多层陶瓷电容（MLCC）为例，若其介质为C0G（NPO），则具备极高的稳定性，温度系数接近零，适用于高频振荡电路、滤波器和定时电路等对稳定性要求极高的场合。这类电容在-55°C至+125°C的宽温范围内电容值变化极小，且具有低损耗、高Q值的特点，适合射频（RF）匹配网络使用。
　　若122J电容采用X7R或Y5V等高介电常数材料，则虽然容量稳定性和温度特性较差，但在相同体积下可实现更高容量，适用于去耦、旁路和一般滤波应用。X7R材质的电容在-55°C至+85°C范围内电容变化不超过±15%，而Y5V则可能达到+22%/-82%，因此在选择时需特别注意工作环境温度对性能的影响。
　　此外，122J电容作为表面贴装器件，具有小型化、重量轻、适合自动化贴片生产的优势。随着电子设备向微型化发展，此类电容广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端中。由于其无极性特点，安装时无需考虑方向，进一步提升了装配效率。
　　值得注意的是，陶瓷电容存在直流偏压效应，即施加电压后实际容量会下降，尤其是X7R/X5R类材料更为明显。因此在电源去耦设计中，应参考制造商提供的直流偏压曲线，确保在工作电压下仍能满足最小去耦容量需求。同时，机械应力和焊接温度也会影响其可靠性，建议遵循JEDEC标准进行回流焊工艺控制。

122J电容广泛应用于各类电子电路中，作为基础无源元件发挥着关键作用。在模拟电路中，常用于RC滤波网络，配合电阻构成低通、高通或带通滤波器，1.2nF的容量适中，适合音频信号处理或中频选频应用。在射频电路中，若采用C0G/NPO材质，可用于阻抗匹配、LC谐振回路或天线调谐单元，因其低损耗和高稳定性能够有效提升系统性能。
　　在数字电路中，122J电容常作为局部去耦电容，布置在集成电路电源引脚附近，用于抑制高频噪声和瞬态电流波动，提高电源完整性。尽管大容量去耦通常使用μF级电容，但nF级别的122J电容在应对MHz级开关噪声方面更具优势，能有效降低电源阻抗，防止信号串扰和逻辑错误。
　　此外，在定时和振荡电路中，如与石英晶体或555定时器配合使用，122J电容可参与决定振荡频率，其精度和稳定性直接影响系统时钟准确性。在传感器接口电路中，也可用作积分电容或噪声滤波元件。
　　消费类电子产品如手机、路由器、电视主板中大量使用此类电容；工业控制、汽车电子和医疗设备中也常见其身影，尤其是在EMI/EMC滤波电路中用于抑制电磁干扰。随着5G通信和高速数据传输的发展，对高频性能要求日益提高，高品质122J电容的需求持续增长。