1210ZG226ZAT2A 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。这款芯片设计用于在高压条件下提供更高的功率密度和更低的能量损耗。
该型号属于 Cree(现为 Wolfspeed)或类似厂商推出的 GaN 系列产品之一,适用于工业级和商业级应用场景。
额定电压:650V
额定电流:8A
导通电阻:22mΩ
栅极电荷:40nC
反向恢复时间:无反向恢复(由于是 GaN 器件)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1210ZG226ZAT2A 具有以下显著特性:
1. 高频运行能力:得益于 GaN 技术,能够实现高频开关操作,从而减小了无源元件(如电感和电容)的尺寸,提升了整体系统效率。
2. 极低的导通电阻:22mΩ 的导通电阻使得传导损耗显著降低,非常适合大电流应用。
3. 快速开关性能:超低的栅极电荷和输出电荷确保了快速开关转换,减少了开关损耗。
4. 零反向恢复电荷:与传统的硅 MOSFET 不同,GaN 器件没有体二极管,因此没有反向恢复损耗。
5. 小型封装设计:其紧凑的封装形式有助于提升功率密度,同时保持良好的散热性能。
6. 宽广的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的宽温区操作,增强了产品的环境适应性。
1210ZG226ZAT2A 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景中,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS):
- AC-DC 转换器
- DC-DC 转换器
2. 无线充电设备:
- 高效无线功率传输
3. 工业电机驱动:
- 高速电机控制
4. 数据中心电源:
- 提供高功率密度的服务器电源
5. 电动汽车(EV)车载充电器:
- 支持快速充电功能
6. 太阳能逆变器:
- 实现高效能量转换
GAN063-650WSA, EPC2045