时间：2025/6/4 15:03:21
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1210N820J631CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高功率密度场效应晶体管 (FET)，专为高频和高效率应用场景设计。该型号采用了先进的封装技术，具有低寄生电感和良好的热性能。
这款 GaN FET 的典型应用领域包括开关电源、DC-DC 转换器、无线充电设备以及电机驱动等。其优异的开关特性和耐高压能力使其成为现代电力电子系统中的重要选择。
最大漏源电压：820V
连续漏极电流：40A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：最高支持5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1210N820J631CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达820V的工作电压，确保在恶劣条件下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（90mΩ），有效减少传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度，支持高达5MHz的工作频率，非常适合高频应用场合。
4. 紧凑型封装设计，有助于减小电路板空间占用，同时优化散热性能。
5. 内置过流保护功能，增强了器件的安全性与可靠性。
6. 采用无铅环保材料制造，符合RoHS标准要求。
该型号广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中，用作主功率开关，提供高效且稳定的能量转换。
2. 在电动汽车充电桩内作为核心功率器件，满足快速充电需求。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路，提供精确控制和高效驱动能力。
4. 太阳能逆变器系统中实现高效直流到交流转换，提升能源利用效率。
5. 数据中心服务器电源模块，降低能耗并提高供电质量。
1210N820J521DT, 1210N820K631CT
