制造商：Vishay Intertechnologies
　　产品系列：VJ 1210 N
　　封装/外壳：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　电容：1800 pF（1.8 nF）
　　容差：±2%（G）
　　额定电压：250 VDC
　　介电材料：C0G（NP0）
　　温度特性：0 ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　层数结构：多层陶瓷
　　端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层（Ni/Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　ESR（等效串联电阻）：典型值低于 100 mΩ
　　绝缘电阻：≥ 10,000 MΩ 或 R × C ≥ 500 S
　　寿命稳定性：≤ ±0.1% ΔC/C per decade hour
　　老化率：0%/decade（C0G 特性）

C0G（NP0）介质是 MLCC 中最稳定的电介质之一，具有极低的温度系数（0 ±30 ppm/°C），确保在整个工作温度范围内电容值几乎不发生变化。这使得 1210N182G251CT 非常适用于对频率稳定性要求极高的应用场景，例如 LC 谐振电路、振荡器、射频匹配网络和精密滤波器。由于其线性响应和非压电效应，该电容器在信号路径中不会引入失真或噪声，因此在高性能模拟前端中表现出色。
　　该器件的电压系数极小，即使在接近额定电压 250 VDC 下工作，电容值变化也微乎其微，远优于 X7R、X5R 等高介电常数材料的 MLCC。这一特性对于高压偏置下的耦合、旁路和去耦应用尤为重要。同时，C0G 材料无老化现象，电容值不会随时间推移而衰减，提升了长期运行的可靠性。
　　1210N182G251CT 采用多层结构设计，在保证较高耐压的同时实现较大的单位体积电容密度。其 Ni/Sn 端子具有良好的可焊性和抗迁移能力，支持回流焊和波峰焊工艺，兼容现代 SMT 生产流程。器件通过 AEC-Q200 认证的可能性较高，适用于汽车电子系统如 ADAS、传感器模块和车载通信单元。
　　此外，该电容器具有极低的介质损耗（tan δ ≤ 0.15%），意味着能量损耗极小，效率高，适合高频工作环境。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其可用于高阻抗电路和采样保持电路中。整体而言，1210N182G251CT 是一款兼具高性能、高可靠性和工业级耐用性的 MLCC 器件，特别适合替代传统引线式云母或陶瓷电容。

1210N182G251CT 广泛应用于需要高精度和高稳定性的电子电路中。典型用途包括射频（RF）和无线通信系统中的阻抗匹配网络、LC 谐振槽路、带通滤波器和天线调谐电路，因其电容值不受温度波动影响，能有效维持系统频率稳定性。
　　在工业控制与测量设备中，它被用于精密振荡器、时钟生成电路、ADC/DAC 参考电压旁路以及高精度传感器信号调理电路。其低噪声和非非线性特性有助于提升系统信噪比和测量准确性。
　　在电源管理系统中，该电容可用于高压侧去耦、跨接在开关节点以抑制高频噪声，或作为缓冲电路（snubber circuit）元件吸收电压尖峰，保护功率器件。
　　此外，在医疗电子、测试仪器、航空航天和汽车电子等领域，该器件也发挥着关键作用，特别是在高温、高湿或振动环境中仍需保持电气性能稳定的场合。例如，在汽车发动机控制单元（ECU）或电池管理系统（BMS）中用于信号滤波和去耦。
　　由于其无磁性和优异的高频响应，也可用于 MRI 设备、雷达系统和其他敏感电磁环境中，避免干扰并确保信号完整性。总之，凡是要求电容值高度稳定、低损耗、长寿命的应用场景，1210N182G251CT 都是一个理想选择。

GRM3195C1H182JA01D
　　CL21A182GJNFNEC
　　C3216X7R1H182K250AC