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1210N180J501CT 发布时间 时间:2025/6/6 14:07:31 查看 阅读:4

1210N180J501CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术,提供卓越的开关性能、低导通电阻以及高效率。其封装形式通常为表面贴装型,便于在现代电路板上的集成。
  该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、电信设备和工业自动化等领域。由于其出色的性能和可靠性,1210N180J501CT 成为了替代传统硅基 MOSFET 的理想选择。

参数

型号:1210N180J501CT
  类型:GaN HEMT
  最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:高达 5MHz
  封装:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1210N180J501CT 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,非常适合高频 DC-DC 转换器和其他高频应用。
  3. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在实际使用中的抗静电能力。
  4. 高度可靠的 GaN 材料结构,具有优异的热稳定性和机械强度。
  5. 紧凑型封装设计,有助于减小整体系统尺寸并优化 PCB 布局。
  6. 广泛的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定性能。

应用

1210N180J501CT 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 高效 DC-DC 转换器,尤其是在电动汽车和混合动力汽车中使用的转换器。
  3. 通信基础设施,例如基站电源和射频功率放大器。
  4. 工业设备,如伺服驱动器、逆变器和不间断电源 (UPS)。
  5. 消费类电子产品中的快充适配器,以实现更高的充电效率和更小的体积。
  6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关应用。

替代型号

1210N150J501CT, 1210N200J501CT

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1210N180J501CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.61344卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容18 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.041"(1.05mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-