时间：2025/6/12 5:45:22
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1210N180J201CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效功率转换应用而设计。该器件采用常关型 (normally-off) 架构，提供卓越的开关性能和低导通电阻特性。其封装形式为表面贴装器件 (SMD)，适用于自动化生产和紧凑型设计需求。
由于氮化镓材料的优异性能，该器件能够在高频条件下实现更高的效率和更小的尺寸，同时减少系统级的热量积累。1210N180J201CT 适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、电机驱动以及通信设备中的射频放大器等场景。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：15A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率范围：高达 5MHz
结温范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：SMD
1. 基于氮化镓 (GaN) 材料，具备更低的导通电阻和更高的开关速度。
2. 支持高达 5MHz 的开关频率，能够显著减小磁性元件体积，优化系统效率。
3. 常关型架构确保了在正常操作条件下的安全性与可靠性。
4. 表面贴装封装支持高效的自动化生产流程，满足现代工业制造需求。
5. 具备出色的热稳定性，可在高温环境下长期运行，同时减少对散热器的需求。
6. 内置静电保护功能，增强了器件在实际应用中的耐用性。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. AC-DC 开关电源
3. 射频功率放大器
4. 汽车电子系统中的逆变器
5. 工业电机驱动器
6. 可再生能源领域中的功率转换模块
7. 数据中心服务器电源单元 (PSU)
8. 无线充电发射端及接收端
1210N150J201CT, 1210N200J201CT
