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1210N150J202CT 发布时间 时间:2025/6/4 14:52:43 查看 阅读:7

1210N150J202CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于高频和高功率应用。该器件采用先进的 GaN 技术,具有出色的开关特性和低导通电阻,能够显著提高系统效率和功率密度。
  这款晶体管广泛应用于电信基础设施、工业电源转换以及可再生能源系统等领域,其紧凑的设计和高效性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。

参数

型号:1210N150J202CT
  类型:GaN HEMT
  漏源电压(Vds):150V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):16mΩ
  栅极电荷(Qg):80nC
  开关频率:最高支持 MHz 级别
  封装形式:TO-247 或表面贴装(具体需参考数据手册)

特性

1210N150J202CT 拥有非常低的导通电阻和极快的开关速度,这使得它在高频工作条件下依然能保持高效率。
  该器件还具备良好的热性能和抗电磁干扰能力,适合于对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
  此外,由于 GaN 材料本身的特性,1210N150J202CT 可以在更高的温度下稳定运行,进一步拓宽了其使用范围。
  典型优点包括:
  - 高效的功率转换
  - 减少散热设计需求
  - 支持高频操作
  - 低寄生电感
  - 快速瞬态响应

应用

该晶体管主要应用于需要高性能功率转换的领域,包括但不限于以下方面:
  - 数据中心和服务器电源模块
  - 太阳能逆变器
  - 电动车充电设备
  - 工业电机驱动器
  - 高频 DC-DC 转换器
  - 通信基站中的射频放大器
  1210N150J202CT 的卓越性能使其成为这些高要求应用的理想选择。

替代型号

1208N150J202CT, 1212N150J202CT

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1210N150J202CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.66917卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定2000V(2kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.041"(1.05mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-