时间：2025/12/25 18:54:03
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1210B563K501LT 是由 AVX 公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件采用 1210 封装（英制尺寸，即 3.2mm x 2.5mm），属于表面贴装型电容，广泛应用于各类高性能电子电路中。型号中的编码可解析为：1210 表示其物理尺寸；B 代表额定电压等级（在此通常对应 50V DC）；563 表示电容值为 56,000 pF（即 56 nF 或 0.056 μF）；K 表示电容容差为 ±10%；501 则进一步确认额定电压为 50V；LT 可能代表卷带包装形式或特定的端接类型（如薄型端子或无铅兼容结构）。该电容器基于 X7R 温度特性介电材料制造，具有良好的温度稳定性，可在 -55°C 至 +125°C 的宽温范围内工作，电容值变化不超过 ±15%。由于其稳定的电气性能、较高的体积效率以及可靠的结构设计，1210B563K501LT 被广泛用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等应用场景。此外，该产品符合 RoHS 环保标准，适用于现代无铅回流焊工艺，具备较强的抗热冲击能力与机械稳定性，在自动化贴片生产线上表现出色。作为一款工业级可靠性元件，它常见于通信设备、电源管理模块、汽车电子系统及工业控制电路中。
封装尺寸：1210 (3.2mm x 2.5mm)
电容值：56nF (56000pF)
容差：±10%
额定电压：50V DC
介电材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：±15%
产品系列：1210B
包装形式：卷带（Tape and Reel）
端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
RoHS合规性：符合
1210B563K501LT 所采用的 X7R 型介电材料是一种稳定的铁电陶瓷配方，主要成分为钡钛酸盐掺杂改性材料，能够在极宽的工作温度范围内维持相对恒定的电容值。其最大电容漂移仅为 ±15%，远优于 Z5U 或 Y5V 类介质，因此非常适合对稳定性要求较高的模拟和数字电路应用。这种材料在不同直流偏压下的电容衰减也较为温和，相较于高介电常数但非线性的 Y5V 材料，X7R 在实际使用中表现更为可靠。该电容器的结构由多个交替堆叠的内电极与陶瓷介质层构成，通过高温共烧形成一体式多层结构，从而实现高容量密度的同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有利于高频去耦和噪声抑制。
该器件的机械结构设计充分考虑了表面贴装工艺的需求，其 1210 封装尺寸提供了良好的焊接稳定性和热应力耐受性。端电极为多层金属化系统，通常包含铜内电极、镍阻挡层和外部锡镀层，确保优异的可焊性并防止银迁移或铜扩散问题。这种结构还增强了抗热循环开裂的能力，尤其适用于经历多次回流焊或工作环境温度剧烈变化的应用场景。此外，该电容器具有低吸湿性，避免因潮气侵入导致绝缘性能下降或爆裂风险。
在电气性能方面，1210B563K501LT 展现出良好的频率响应特性，适用于中高频段的滤波和旁路任务。虽然其绝缘电阻稍低于 C0G/NP0 类电容，但仍足以满足大多数电源轨去耦需求。它的自谐振频率（SRF）取决于 PCB 布局和外部寄生参数，但在合理设计下仍能有效抑制开关噪声。整体而言，这款 MLCC 在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，是许多工业和消费类电子产品中的首选被动元件之一。
1210B563K501LT 广泛应用于需要中等精度、良好温度稳定性和较高耐压能力的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作开关稳压器输出端的滤波电容，用于平滑输出电压纹波，并降低高频噪声对下游负载的影响。同时，也可作为 IC 供电引脚的局部去耦电容，吸收瞬态电流突变引起的电压波动，提升系统稳定性与抗干扰能力。
在模拟信号处理电路中，该电容器可用于交流耦合、级间耦合以及低通或高通滤波网络的设计。由于其 X7R 材料具备较好的线性响应和较小的电压系数，适合用于音频放大器、传感器接口电路和数据采集前端等对信号完整性有一定要求的场合。在射频与无线通信模块中，尽管不用于极高 Q 值谐振回路，但仍可用于偏置电路的旁路、阻抗匹配网络中的隔直电容等功能单元。
此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载信息娱乐系统和 ADAS 传感器供电单元。得益于其宽温工作能力和符合 AEC-Q200 标准的潜在认证（需具体确认批次规格），能够在发动机舱附近或极端气候条件下长期稳定运行。工业自动化设备、PLC 控制器、医疗监测仪器以及服务器电源板也是其典型应用领域。总之，凡是需要一个兼具性价比、体积适中且性能可靠的 50V/56nF 陶瓷电容的场景，1210B563K501LT 都是一个理想选择。
[
"1210YC564MAT2A",
"C3216X7R1H564K",
"GRM31CR71H564KA88L",
"CL21B564KBANNNC"
]
