时间：2025/12/23 15:09:54
阅读：12
1206N682G250CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压性能等优点。其封装形式为行业标准的表面贴装器件（SMD），便于自动化生产。这款芯片广泛应用于电源管理领域，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电设备。
型号：1206N682G250CT
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650V
额定电流：25A
导通电阻：25mΩ
栅极阈值电压：1.7V~3.0V
最大工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：1206 SMD
功耗：15W
1206N682G250CT 的主要特点是其卓越的电气性能和紧凑的封装尺寸。它采用了先进的氮化镓技术，能够显著提高系统的效率并降低能量损耗。
1. 低导通电阻：25mΩ 的导通电阻确保了在高负载条件下依然能保持较低的传导损耗。
2. 快速开关能力：该器件的开关速度非常快，能够支持高达数兆赫兹的工作频率，非常适合高频应用场景。
3. 高耐压：额定电压为 650V，能够在高压环境下稳定运行。
4. 小型化设计：采用 1206 封装，体积小巧，适合空间受限的应用场合。
5. 高可靠性：经过严格测试，具备良好的抗干扰能力和长期使用的稳定性。
1206N682G250CT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 无线充电模块
5. 工业逆变器
6. 光伏微型逆变器
7. 电动汽车充电设备
由于其出色的性能，该器件在需要高效能量转换和小型化的场景中表现出色。
1206N682G200CT, 1206N650G250CT
