时间：2025/5/19 19:30:49
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1206N2R7B500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，采用行业标准的 DFN 封装。该器件适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和无线充电等应用领域。其卓越的性能主要归功于 GaN 的高电子迁移率和低导通电阻特性，从而显著提高效率并减小系统尺寸。
该型号属于高效能氮化镓晶体管系列，专为高功率密度设计而优化。
封装：DFN
额定电压：650V
额定电流：2.7A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：38nC
反向恢复时间：无
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
1206N2R7B500CT 拥有非常低的导通电阻和快速开关速度，这使其在高频操作条件下具有极高的效率。此外，由于采用了增强型模式（E-Mode）GaN 技术，无需复杂的栅极驱动电路，进一步简化了设计过程。
其关键特性包括：
- 高击穿电压：支持高达 650V 的工作电压。
- 极低的 RDS(on)：2.7mΩ 导通电阻可显著降低传导损耗。
- 快速开关能力：极低的栅极电荷和输出电荷确保高效运行。
- 高热稳定性：能够在高温环境下可靠工作，最高结温可达 150°C。
- 简化的驱动要求：无需负栅压驱动，直接兼容传统 MOSFET 驱动器。
这款芯片广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合，例如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 无线充电发射端和接收端
- 电机驱动控制器
- LED 驱动器
- 太阳能微型逆变器
凭借其出色的性能，该器件非常适合替代传统的硅基 MOSFET，尤其是在高频应用中。
1206N2R9B500CT
1206N3R3B500CT
