1206N123G160CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,适用于高频和高效率应用。它采用了增强型场效应晶体管(e-mode HEMT)技术,具有极低的导通电阻和快速开关特性。该器件主要面向电源转换、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用领域。
此型号中的具体参数表明其额定耐压为120V,连续漏极电流约为3A,并具备优秀的热性能与可靠性。
额定电压:120V
连续漏极电流:3A
导通电阻:16mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:最高可达5MHz
封装形式:TO-252/DPAK
工作温度范围:-55℃至+175℃
1206N123G160CT 具有以下显著特点:
1. 高速开关能力,支持高达5MHz的工作频率,非常适合高频电源设计。
2. 极低的导通电阻(16mΩ),有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 氮化镓材料提供更高的能量密度和更小的体积需求。
4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,确保运行安全。
5. 封装采用DPAK标准,便于散热和集成到PCB板中。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
这款氮化镓功率晶体管广泛应用于以下领域:
1. 高效AC-DC和DC-DC电源转换器。
2. 太阳能微型逆变器及储能系统。
3. 快速充电器和适配器。
4. 电动工具和小型电机驱动器。
5. LED照明驱动电路。
6. 数据中心和通信设备中的高效电源模块。
1206N120G150CT, EPC2024, GXF120R018A1LS