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1206F475Z250BT 发布时间 时间:2025/11/6 2:55:39 查看 阅读:18

1206F475Z250BT是一款由Vishay(威世)生产的表面贴装多层陶瓷电容器(MLCC),采用1206封装尺寸(3.2mm x 1.6mm),额定电容为4.7pF,额定电压为250VDC。该器件属于C0G(NP0)温度补偿类陶瓷电容器系列,具有极高的稳定性、低损耗和几乎为零的电容随温度变化的漂移特性。C0G材质确保了其在-55°C至+125°C的工作温度范围内,电容值的变化不超过±30ppm/°C,适用于对频率稳定性和信号完整性要求极高的电路设计中。
  该型号广泛应用于高频电路、射频(RF)模块、振荡器、滤波器、定时电路以及精密模拟电路等场景。由于其优异的电气性能和可靠性,1206F475Z250BT常被用于工业控制设备、通信系统、医疗电子、测试与测量仪器以及汽车电子等领域。器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和机械强度,适合自动化贴片生产工艺。
  作为一款高性能的小容量电容器,1206F475Z250BT在高频去耦、阻抗匹配和噪声抑制方面表现出色。其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)使其能够在高频下保持接近理想的电容行为,减少能量损耗并提高系统效率。此外,该产品经过严格的质量控制流程制造,确保批次间的一致性与长期工作的稳定性,是高可靠性应用中的优选元件之一。

参数

型号:1206F475Z250BT
  制造商:Vishay
  封装/外壳:1206(3216公制)
  电容:4.7pF
  容差:±0.5pF
  额定电压:250VDC
  介质材料:C0G(NP0)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  温度系数:0 ±30ppm/°C
  安装类型:表面贴装(SMD)
  层数结构:多层陶瓷(MLCC)
  端接:镍/锡(Ni/Sn)
  产品等级:工业级
  符合标准:RoHS compliant, AEC-Q200(部分批次)

特性

1206F475Z250BT所采用的C0G(NP0)陶瓷介质赋予其卓越的电性能稳定性,这是其最核心的优势之一。C0G材质是一种Class I陶瓷材料,具有极低的介电常数随温度、电压和时间的变化率,确保电容值在整个工作温度范围内几乎不变,从而保证电路参数的高度可预测性和重复性。这种稳定性对于高频谐振电路、时钟生成电路以及精密滤波器至关重要,任何微小的电容漂移都可能导致频率偏移或相位失真,影响系统整体性能。因此,该器件特别适用于需要长期稳定运行且不能接受参数漂移的应用场合。
  另一个关键特性是其出色的高频响应能力。由于采用了先进的多层陶瓷工艺和优化的内部电极结构,1206F475Z250BT具有非常低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使得它在GHz级别的高频环境下仍能有效工作,提供接近理想电容器的行为。这意味着它可以高效地进行高频去耦、旁路和阻抗匹配,显著降低电源噪声和信号反射,提升系统的信噪比和电磁兼容性(EMC)。
  此外,该器件具备高绝缘电阻和低介质损耗(DF < 0.1%),进一步增强了其在低功耗和高精度模拟电路中的适用性。高绝缘电阻减少了漏电流,提高了储能效率,尤其在高阻抗电路中避免了不必要的信号衰减。同时,其250VDC的额定电压提供了足够的安全裕度,适用于中高压信号耦合或隔离应用。结合1206封装带来的良好焊接可靠性和热循环耐受性,这款电容器在严苛环境下的长期可靠性得到了充分保障。

应用

1206F475Z250BT因其优异的稳定性与高频性能,广泛应用于对电容精度和温度特性要求严苛的电子系统中。典型应用场景包括射频(RF)前端模块中的阻抗匹配网络,用于确保天线、功率放大器和滤波器之间的最佳能量传输;在压控振荡器(VCO)、锁相环(PLL)和晶体振荡器电路中,作为调谐或补偿电容,以维持频率的精确性和长期稳定性。
  该器件也常见于各类高频滤波器设计,如带通、低通和高通滤波器,特别是在通信设备、雷达系统和无线收发器中,用于抑制杂散信号和干扰频率。在测试与测量仪器(如示波器、频谱分析仪)中,该电容器用于精密信号调理电路,确保测量结果的准确性和一致性。
  此外,在汽车电子领域,尤其是车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)和远程通信单元中,1206F475Z250BT可用于满足AEC-Q200认证要求的高可靠性设计。工业控制系统中的PLC、传感器接口和数据采集模块也会使用此类电容来提升模拟信号链的稳定性。医疗电子设备如超声成像仪和心电监护仪同样依赖这类高精度元件以确保诊断信号的保真度。最后,在高速数字系统中,尽管主要去耦任务由大容量电容承担,但该型号可在特定节点执行高频噪声滤除,辅助改善电源完整性。

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