封装尺寸：1206 (3.2mm x 1.6mm)
　　电容值：470nF (0.47μF)
　　额定电压：25V DC
　　容差：±10%
　　温度系数/介质材料：X7R (ΔC/C ≤ ±15% from -55°C to +125°C)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X7R行为）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF（取较大值）
　　损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
　　老化率：≤2.5% per decade hour（X7R材料典型值）
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）用于可焊性保护
　　产品系列：表面贴装多层陶瓷电容（MLCC）
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200（如适用）

1206B474K250NT所采用的X7R陶瓷介质具有优异的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温区间内保持电容值的变化控制在±15%以内，这一特性使其非常适合用于环境温度波动较大的应用场景，例如汽车电子、工业控制系统和户外通信设备。与Z5U或Y5V等低稳定性介质相比，X7R材料在寿命期内表现出更低的老化速率和更可预测的电气行为。此外，X7R电介质还具备较好的频率响应能力，在数十MHz范围内仍能维持较高的有效电容值，因此可用于中高频滤波电路中。尽管X7R电容存在一定的电压依赖性——即施加直流偏压后电容值会下降，但在25V额定电压下设计合理的工作裕量可显著缓解此问题。例如，在实际使用中若仅施加10~15V偏压，电容值降幅通常控制在30%以内，仍能满足多数去耦需求。
　　该器件的1206封装在尺寸与性能之间实现了良好平衡，相较于更小的0805或0603封装，它提供了更高的耐压能力和更大的有效电容值，同时避免了大型封装带来的布局空间浪费。其结构采用多层交错金属电极与陶瓷介质堆叠而成，增强了机械强度并降低了等效串联电感（ESL），从而提升高频去耦效率。另外，该电容的端电极为三层电镀结构（铜-镍-锡），确保了优良的可焊性和抗热冲击能力，适合回流焊工艺。在可靠性方面，该型号经过严格的湿度敏感等级（MSL3）测试，存储条件明确，支持J-STD-020规定的潮湿环境处理流程。对于需要长期稳定运行的产品而言，这种MLCC在高温高湿负载测试下的电性能退化极小，具备出色的抗老化和抗裂纹扩展能力，尤其在PCB弯曲或热循环应力下表现优于薄型或超大容量型号。

该电容器广泛应用于各类电子系统中的电源去耦和噪声滤波环节。在数字电路中，常被用作微处理器、FPGA或ASIC芯片的电源引脚旁路电容，有效抑制因高速开关动作引起的瞬态电流波动和电压尖峰，保障核心器件供电稳定。在DC-DC转换器设计中，1206B474K250NT可用于输入和输出滤波网络，配合电感和其他电容组成π型或LC滤波器，降低开关噪声传导至前后级电路。此外，在模拟信号链路中，该电容适用于交流耦合、级间滤波和参考电压旁路功能，尤其是在音频放大器、ADC驱动电路和传感器接口模块中发挥重要作用。工业自动化设备中的PLC控制器、电机驱动板和通信接口模块也普遍采用此类电容进行EMI抑制和电源净化。在汽车电子领域，尽管未直接标明通过AEC-Q200认证，但许多同规格X7R MLCC已被用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助驾驶系统的电源管理单元。便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备同样大量使用该类元件，因其小型化封装有助于节省PCB空间，同时满足复杂电源轨的多点去耦需求。此外，在医疗设备、测试仪器和电源适配器等对长期可靠性和温度稳定性有较高要求的应用中，该电容也是常见的选择之一。需要注意的是，在高温或高偏压环境下应评估其实际电容衰减情况，并结合仿真或实测数据优化布局布线，避免因寄生电感或热应力导致性能下降。

GRM319R61E474KA12K
　　CL21B474KBANNNC
　　C1206X7R250K474N