时间：2025/11/6 4:25:35
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1206B226M160CT是一款由KEMET（现为国巨集团下属品牌）生产的多层陶瓷贴片电容（MLCC），属于C0G/NP0系列以外的X7R或类似温度特性的高介电常数陶瓷电容器。该型号遵循EIA标准封装尺寸命名规则，其中"1206"代表其物理尺寸为1206（3.2mm x 1.6mm），是表面贴装技术（SMT）中广泛使用的中等尺寸封装，适用于自动化贴片生产线。
该电容的标称电容值为22μF（即226表示22后跟6个零皮法，即22,000,000 pF = 22μF），额定电压为16V DC，容差为±20%（由字母"M"表示）。该器件采用端电极为镍/钯/银（Ni/Pd/Ag）的叠层结构，适合回流焊工艺，并具备良好的机械强度和热稳定性。由于其较高的电容密度，1206B226M160CT常被用于电源去耦、滤波、旁路以及DC-DC转换器输出端的储能应用。
需要注意的是，该电容使用的是X7R类电介质材料，这意味着其电容值会随着温度、直流偏压和交流信号的变化而发生一定变化。在实际应用中，尤其是在高压偏置条件下，有效电容可能显著低于标称值。因此，在设计时必须参考制造商提供的直流偏压特性曲线来评估其真实工作性能。此外，该器件符合RoHS环保要求，无铅兼容，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
封装尺寸：1206 (3.2mm x 1.6mm)
电容值：22μF
电容值代码：226
容差：±20% (M)
额定电压：16V DC
电介质材料：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度特性：ΔC/C ≤ ±15% @ -55°C ~ +125°C
端电极类型：Ni/Pd/Ag（三层电极）
安装方式：表面贴装（SMD）
适用焊接工艺：回流焊
RoHS合规性：符合
1206B226M160CT作为一款高容量密度的多层陶瓷电容器，采用了先进的陶瓷介质与金属电极交替堆叠制造工艺，能够在有限的1206封装内实现高达22μF的电容值。这得益于其使用的高介电常数陶瓷材料（如X7R配方），相较于C0G/NP0材料虽牺牲了一定的稳定性，但大幅提升了单位体积下的电容存储能力。这种电容器特别适用于需要较大去耦电容但空间受限的应用场景，例如在便携式电子产品中的电源管理单元（PMU）附近进行噪声抑制。
其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，确保了在极端环境条件下的可靠运行，包括高温工业环境或低温户外设备。X7R介质的典型特性是在整个温度范围内电容变化不超过±15%，但在实际应用中，尤其是施加直流偏压时，电容值下降更为明显。例如，在接近16V的工作电压下，实际可用电容可能仅剩标称值的40%-60%，因此在电路设计阶段必须结合KEMET官方发布的DC偏压曲线进行降额分析。
该器件具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），使其在高频开关电源（如Buck、Boost转换器）中表现出优异的瞬态响应能力和纹波电流承受能力。同时，其SMD封装形式支持高速自动贴片机作业，提高了生产效率和一致性。由于采用镍钯银端电极结构，具备良好的可焊性和抗热疲劳性能，能经受多次回流焊过程而不损坏。此外，该产品符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，满足现代绿色电子产品的环保要求。
1206B226M160CT主要应用于各类需要中等容量、中低压滤波与去耦功能的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）的输入/输出滤波电容，用于平滑整流后的电压波动并减少高频噪声传导；在DC-DC转换模块中作为输出端储能元件，协助维持负载突变时的电压稳定。该电容也广泛用于微处理器、FPGA、ASIC等数字芯片的电源引脚旁路，吸收瞬间电流需求，防止电源塌陷导致系统复位或误操作。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，由于内部空间紧凑且供电线路复杂，该型号因其小尺寸与相对高容量的组合优势而备受青睐。同样，在工业控制系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗仪器及汽车电子模块（非引擎舱区域）中也有广泛应用。尤其在车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电部分，其宽温特性和可靠性满足了车规级应用的基本要求。此外，还可用于耦合、去耦、定时和信号滤波等模拟电路环节，尽管在精度要求极高的场合需谨慎考虑其参数漂移问题。
C3216X7R1C226M
