封装尺寸：1206 (3216 metric)
　　电容值：22μF
　　容差：±10%
　　额定电压：16V DC
　　介质材料：X5R
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容变化率：±15% (within temperature range)
　　产品类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　安装方式：表面贴装 (SMT)
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　高度：约1.25mm
　　长度：3.2mm
　　宽度：1.6mm

1206B226K160NT所采用的X5R陶瓷介质赋予了其良好的温度稳定性和较高的体积效率，使其在多种环境条件下均能保持相对稳定的电性能表现。X5R材料的温度系数特性意味着在-55°C到+85°C的工作温度区间内，电容值的变化不会超过初始值的±15%，这对于许多对电容稳定性有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用来说是理想的选择。相比Y5V或Z5U等III类介质，X5R在温度稳定性、老化特性和频率响应方面均有明显优势，尤其适合用于电源去耦、中间储能和平滑滤波等场景。
　　该电容器的22μF电容值在1206封装中属于较高容量水平，得益于KEMET先进的叠层制造技术和高介电常数陶瓷材料的应用，实现了在小尺寸下较高的电容密度。然而，需要注意的是，随着电容值的提升，特别是对于大容量MLCC，直流偏压效应变得尤为显著。当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容可能远低于标称值。例如，在16V满电压下，该器件的实际电容可能仅保留标称值的50%-70%，因此在电源轨去耦设计中必须结合具体偏压曲线进行降额评估，以确保系统在最坏工况下仍具备足够的滤波能力。
　　此外，该器件具备良好的高频响应特性，低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提高电源系统的瞬态响应能力，有效抑制高频噪声。其表面贴装封装形式支持高速自动化贴片生产，适用于大规模批量制造。机械方面，尽管陶瓷体较脆，但KEMET在端电极结构上通常采用柔性电极或树脂包覆技术，可在一定程度上缓解PCB弯曲带来的应力，降低开裂风险。整体来看，1206B226K160NT在电性能、尺寸、成本和可靠性之间取得了良好平衡，是中高端电子设备中常用的被动元件之一。

1206B226K160NT广泛应用于各类需要中等容量、中等电压滤波和去耦的电子电路中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该电容器常被用作DC-DC转换器的输入/输出滤波电容，用于平滑开关电源产生的纹波电压，提升电源质量。其较小的1206封装尺寸适应了紧凑型PCB布局需求，同时X5R材料的稳定性确保了在不同环境温度下功能的一致性。
　　在工业控制和自动化设备中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路以及微控制器供电引脚的本地去耦，防止数字开关噪声干扰敏感模拟电路。在通信基础设施设备如路由器、交换机和基站模块中，1206B226K160NT也常用于电源管理单元（PMU）和FPGA或ASIC芯片的电源域解耦，保障高速数字电路的稳定运行。
　　此外，该电容器适用于汽车电子中的非动力系统，例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和ADAS辅助驾驶单元。虽然未专门认证为AEC-Q200器件，但在非严苛环境下仍可作为通用MLCC使用。在医疗电子设备中，因其无磁、低泄漏和高可靠性的特点，也可用于便携式监测仪器的电源滤波环节。总之，凡是需要在有限空间内部署22μF左右电容且工作电压不超过16V的场景，1206B226K160NT都是一种常见且可靠的选择。

C3216X5R1C226K160AB
　　GRM32DR71C226KA12L
　　CL21B226KCQNNNE