封装/外壳：1206（3216公制）
　　电容：22nF（22000pF）
　　容差：±10%
　　电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C）
　　介质材料：陶瓷
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　电容变化率：±15%（在温度范围内）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸：3.2mm × 1.6mm × 1.6mm（典型）
　　引脚数：2
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　DF（损耗因数）：≤2.5%
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF
　　耐久性：在额定电压和+125°C下持续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的±15%

1206B223K501NT所采用的X7R陶瓷介质具有优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的相对稳定，变化幅度控制在±15%以内，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源管理电路、射频模块和汽车电子系统。相比Z5U或Y5V等其他陶瓷介质，X7R在温度漂移方面的表现更为优越，虽然其介电常数低于高K材料，但依然能够在较小封装内实现较高的电容值。该电容器的结构采用多层叠层设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层来提升单位体积内的电容密度，同时降低等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而增强其高频响应能力，适用于高频去耦和噪声抑制场合。
　　该器件具备良好的机械强度和热循环耐受性，能够承受多次回流焊过程而不损坏，适合现代SMT生产工艺。其1206封装在尺寸与性能之间取得了良好平衡，既保证了足够的爬电距离和电气间隙，又兼顾了PCB空间利用率。此外，该电容器具有较高的绝缘电阻和较低的漏电流，在长时间工作状态下表现出优异的可靠性。在直流偏压特性方面，X7R材料相较于高K材料（如Y5V）在电压施加时的电容衰减更小，因此在实际应用中能提供更稳定的性能。整体而言，1206B223K501NT是一款兼顾稳定性、可靠性和成本效益的通用型MLCC，广泛用于各类中高压、中等精度的电路设计中。

1206B223K501NT因其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围，被广泛应用于多种电子系统中。在电源电路中，它常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波、稳压器旁路以及电源去耦，有效抑制电压波动和高频噪声，提高电源质量。在模拟信号链路中，该电容器可用于耦合、隔直和滤波功能，确保信号传输的稳定性与保真度。在微控制器和数字IC的供电引脚附近，该器件可作为局部储能元件，吸收瞬态电流变化，防止地弹和电源塌陷问题，保障系统稳定运行。
　　在工业控制设备中，由于其具备良好的温度适应性和长期可靠性，1206B223K501NT适用于PLC模块、传感器接口电路和通信接口保护电路。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该电容用于音频电路、摄像头模块和无线通信模块的滤波与匹配网络。此外，在汽车电子领域，尽管非AEC-Q200认证的通用MLCC不适用于关键安全系统，但仍可用于车身控制模块、信息娱乐系统等非核心部件中。通信基础设施设备如路由器、交换机和基站中的信号调理电路也常采用此类电容进行噪声抑制和阻抗匹配。总之，该器件凭借其通用性强、兼容性好、性价比高等优点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

C2012X7R500K223M
　　GRM31CR71H223KA12L
　　CL21B223KBANNNC
　　TC-316C223K501J-R