封装尺寸：1206 (3216 metric)
　　电容值：2.2nF (2200pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　产品类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　失效率：标准可靠性产品
　　RoHS 状态：符合 RoHS

1206B222K501CT 所采用的 C0G（也称为 NP0）陶瓷介质赋予了其卓越的电气稳定性，这是其最核心的优势之一。C0G 材料是一种 Class I 陶瓷介质，具备几乎线性且恒定的介电常数，因此在整个额定温度范围内（-55°C 到 +125°C）电容值的变化极小，通常控制在 ±30ppm/°C 以内，远优于 X7R、Y5V 等 Class II 介质材料。这种高度稳定的特性使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的场合，如 LC 谐振电路、晶振负载电容、带通滤波器和射频匹配网络。由于电容值不会随温度剧烈波动，系统可以保持一致的频率响应和相位特性，避免因温漂引起的失谐问题。
　　除了温度稳定性外，该器件还表现出极低的介质损耗（Dissipation Factor, DF），典型值低于 0.1%，这意味着其能量损耗非常小，在高频工作条件下仍能保持高效运行。同时，其等效串联电阻（ESR）也非常低，有助于减少发热并提高电源去耦效率，尤其适用于高速数字电路中的局部去耦和噪声抑制。尽管 1206B222K501CT 的电容值仅为 2.2nF，但由于其优良的高频特性，它可以在数百 MHz 甚至 GHz 级别的频段中有效工作，远胜于许多大容量但高频响应差的电解或钽电容。
　　从结构上看，该 MLCC 采用多层叠膜工艺制造，内部由数十至数百层陶瓷介质与金属电极交替堆叠而成，从而实现较高的单位体积电容量。1206 封装在提供足够机械强度的同时，也兼容主流 SMT 生产线，焊接可靠性高。此外，该器件具有良好的耐电压能力和长期稳定性，不易发生老化现象，使用寿命长。其严格的容差控制（±10%）进一步提升了电路设计的一致性与可重复性，特别适合批量生产中的精密应用。综合来看，1206B222K501CT 凭借其出色的稳定性、低损耗和高可靠性，成为众多高性能模拟与射频电路中的首选被动元件之一。

1206B222K501CT 因其出色的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于多种高要求的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于匹配网络、天线调谐电路、LC 振荡器和滤波器中，作为关键的频率设定元件，确保信号传输的稳定性和准确性。例如，在蓝牙模块、Wi-Fi 收发器或蜂窝通信前端电路中，该电容器可用于晶振的负载电容配置，帮助维持主控芯片时钟信号的精确频率，防止因温漂导致的数据同步错误或通信中断。
　　在模拟信号处理电路中，该器件适用于有源滤波器、音频放大器的耦合与去耦环节，以及传感器信号调理模块。由于其电容值不随温度和电压变化而显著改变，能够保证放大倍数和截止频率的长期一致性，提升测量精度。在精密电源管理设计中，虽然其容量较小，但仍可用于高频开关电源输出端的小信号去耦，配合其他大容量电容形成多级滤波网络，以滤除高频噪声，改善电源纹波性能。
　　此外，该电容器也常见于工业控制设备、医疗仪器、测试测量装置和汽车电子控制系统中，特别是在发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统和 ADAS 传感器接口中，承担去耦、滤波和信号完整性保障功能。其宽工作温度范围使其能在极端环境下稳定运行，满足 AEC-Q200 等车规级可靠性标准的部分应用场景需求。总之，凡是需要高稳定性、低噪声和高可靠性的电路设计，1206B222K501CT 都是一个理想的选择。

C1206C222KBRACTU
　　GRM3195C1H501JA01D
　　CL21A222KBANNNC
　　MC1206CGE501J
　　VJ0805D501KXACW1