封装尺寸：1206（3216 公制）
　　电容值：2.2nF (2200pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：200VDC
　　介质材料：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　直流偏压效应：无显著容量下降
　　老化率：≤0.5% 每 1000 小时
　　端接类型：镍阻挡层 / 纯锡外涂层（Ni/Sn）
　　RoHS 合规性：符合
　　电容结构：多层陶瓷（MLCC）

C0G（NP0）介质是目前所有陶瓷介质中温度稳定性最高的类型之一，其核心优势在于在整个工作温度范围内电容值保持高度恒定，温度系数接近于零（通常为 0±30ppm/°C），这意味着无论环境温度如何变化，电容器的实际电容值几乎不会发生漂移。这种特性使得 1206B222K202CC 非常适合用于对频率稳定性要求极高的电路，如 LC 谐振回路、晶体振荡器负载电容、精密定时电路和模拟滤波器等。此外，C0G 材料还表现出极低的介质损耗（tanδ < 0.1%），这有助于减少信号传输过程中的能量损失，提高系统整体效率。
　　该电容器不随施加的直流偏压而产生明显的容量衰减，这一点与 X7R 或 Y5V 类介质有本质区别。例如，在接近额定电压运行时，X7R 电容可能损失高达 50% 的标称容量，而 C0G 器件则能维持原始容量不变，确保电路性能的一致性。同时，它也不受交流电压波动和机械应力的影响，长期使用下老化率极低（一般小于 0.5% 每 1000 小时），极大地提升了系统的可靠性和使用寿命。
　　1206B222K202CC 采用标准 SMD 封装，便于自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，并具备良好的抗热冲击性能。其 200V 的额定电压使其能够在中高压应用场景中安全运行，比如开关电源反馈网络、栅极驱动电路和隔离式 DC-DC 变换器中的跨接电容。综合来看，这款电容结合了高稳定性、高耐压、小体积和环保合规等多项优点，是高性能电子设计中不可或缺的基础元件。

该电容器因其卓越的电气稳定性，被广泛应用于多种高精度和高可靠性要求的电子系统中。在通信领域，常用于射频匹配网络、滤波器和谐振电路中，作为关键的调谐元件，确保信号频率的准确性和传输质量。在工业自动化控制系统中，1206B222K202CC 可用于 PLC 模块的输入输出滤波、ADC/DAC 参考电压旁路以及传感器信号调理电路，有效抑制噪声干扰，提升测量精度。
　　在电源管理系统中，该器件适合用作反激式或正激式开关电源中的反馈环路补偿电容、MOSFET 栅极驱动回路的耦合与去耦电容，以及高压侧自举电路中的储能元件。由于其耐压达到 200V，也可用于 AC-DC 转换器初级侧的 RC 缓冲电路（snubber circuit），吸收开关瞬间的能量尖峰，保护功率器件。
　　在汽车电子方面，该电容可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、ADAS 传感器接口和车载充电机（OBC）等模块，满足 AEC-Q200 对被动元件的可靠性要求。此外，在测试与测量仪器、医疗设备、航空航天电子系统中，因需长时间稳定运行且不允许参数漂移，C0G 类电容更是首选方案。总之，凡是对电容稳定性、线性度和可靠性有严格要求的应用场景，1206B222K202CC 都是一个理想的选择。

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　　 "C3216C0G2E222K080AA",
　　 "GRM32DR71H222KA01D",
　　 "CL21A222KBANNNC",
　　 "ECJ-1VC1H222K",
　　 "CC0603JRNPO9BN222"
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