封装尺寸：1206 (3216公制)
　　电容值：220pF
　　容差：±10%
　　额定电压：500V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
　　电容代码：221
　　直流击穿电压：最小1000V
　　老化率：约±2.5%每十年（典型值）
　　电极系统：内部为铜电极，环保型设计
　　阻抗特性：低ESR和低ESL，适合高频应用
　　磁性：非磁性材料构造，适用于敏感磁场环境

1206B221K501NT采用X7R类高介电常数陶瓷材料作为介质，具备良好的电容稳定性与温度适应能力，在-55°C至+125°C的宽温范围内电容值变化不超过±15%，使其适用于多种工业与消费类应用场景。相较于C0G/NP0类电容，X7R材料在保持一定稳定性的同时实现了更高的体积效率，即在相同封装下可实现更大的电容值，因此更适合需要较高电容量但空间受限的设计。该电容内部采用薄层陶瓷与金属电极交替堆叠的结构，形成多层并联的电容单元，从而有效降低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），提升高频响应性能，适用于开关电源中的滤波与去耦环节。
　　该器件使用铜内电极技术，相比传统的贵金属电极（如银钯）更具成本优势，同时通过优化烧结工艺确保了长期可靠性与耐热循环性能。其外电极为镍/锡镀层，具有良好可焊性，兼容回流焊和波峰焊工艺，并能防止焊接过程中因银迁移导致的短路风险。1206B221K501NT的500V额定电压使其适用于中高压电路，例如DC-DC变换器的输出滤波、跨接在电源与地之间的安规电容（Y电容）、或作为射频电路中的耦合电容。
　　此外，该电容具备优异的抗湿性和机械强度，经过严格的老化测试和寿命验证，可在恶劣环境中长期稳定运行。其非磁性设计也使其适用于MRI设备、精密测量仪器等对磁场敏感的应用场景。尽管X7R材料存在一定的电压系数效应（即施加直流偏压时电容值会下降），但在多数非精密模拟电路中仍可接受。总体而言，该型号在性能、尺寸、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是工程师在中高压、中等精度需求场合下的常用选择之一。

1206B221K501NT多层陶瓷电容广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要中等电容值、较高耐压和良好温度稳定性的电路设计。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入和输出端进行滤波与去耦，以抑制电压纹波和瞬态干扰，提升电源质量。在工业控制设备中，该电容可用于PLC模块、传感器接口电路和隔离电源的EMI滤波部分，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　在通信设备领域，1206B221K501NT可用于基站射频前端、光模块和网络交换机中的耦合与旁路电路，利用其低ESR和高频特性减少信号损耗。在消费类电子产品如电视、机顶盒、智能家居控制器中，该电容常见于电源板和主板的局部去耦设计，提高系统抗干扰能力。
　　汽车电子是另一个重要应用方向，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元等，这些系统要求元器件具备宽温工作能力和高可靠性，而该电容的X7R特性和500V耐压正好满足此类需求。此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、超声成像系统中，其非磁性结构避免对磁场造成干扰，适合在高精度环境中使用。
　　由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接，1206B221K501NT也适用于出口型电子产品和绿色制造项目。在照明驱动、智能电表、电机驱动器等电力电子应用中，该电容可用于缓冲电路（snubber circuit）或浪涌吸收，保护半导体器件免受电压尖峰损害。总之，凭借其可靠的电气性能和成熟的制造工艺，该型号已成为众多中高压、通用型MLCC应用中的主流选择之一。

GRM31CR61E221KA12L
　　C1206C221K5RACTU
　　CL21A221KPFNNNE
　　ECJ-1VB1H221K
　　CC0603KRX7R9BB221