封装尺寸：1206 (3216公制)
　　电容值：100nF (0.1μF)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　产品类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　端接类型：镍阻挡层/锡外电极 (Ni-Sn)
　　高度（最大）：约1.6mm
　　电容温度系数：X7R
　　直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
　　老化特性：X7R材质典型老化率为每十倍频程约2.5%
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　ESL（等效串联电感）：低，适合高频应用

1206B104K500NB 采用X7R型陶瓷介质材料，这种材料以其出色的温度稳定性著称，能够在-55°C到+125°C的宽温范围内保持电容值的变化在±15%以内，使其非常适合于对温度变化较为敏感的应用环境。相较于Z5U或Y5V等其他介电材料，X7R在温度稳定性、容量密度和成本之间取得了良好平衡，因此成为工业级和消费类电子产品中最常用的MLCC介质之一。该电容器的标称电容为100nF，在实际应用中表现出稳定的电气性能，尤其在去耦和滤波电路中能有效抑制噪声和电压波动。其±10%的容差也保证了批次间的一致性，有利于提高整机产品的良率和可靠性。
　　该器件采用1206标准贴片封装，便于自动化贴装设备进行高速贴片，提升了PCB组装效率。同时，该封装具备较好的机械强度和热循环耐受能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性。端电极为镍阻挡层加锡覆盖（Ni-Sn），确保良好的可焊性和长期可靠性，避免银迁移等问题。此外，该电容在直流偏压下的电容保持率相对较高，尽管随着施加电压接近额定值时会出现一定程度的容量下降，但在50V工作电压以下仍能维持大部分标称容量，适用于大多数电源轨的去耦需求。
　　1206B104K500NB 符合RoHS指令要求，不含有铅、镉、汞等有害物质，支持环保制造流程。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现优异，可有效滤除开关电源产生的高频噪声。此外，X7R材料的老化特性明确，通常以每十倍频程约2.5%的速率缓慢降低电容值，这一特性在长期运行的系统设计中可以被合理预测和补偿，从而保障系统稳定性。总体而言，该型号是一款性能均衡、可靠性高、应用广泛的通用型贴片电容。

1206B104K500NB 广泛应用于各类电子设备中的去耦、滤波、旁路和信号耦合电路。在数字电路系统中，常用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源引脚附近，作为去耦电容以吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，减少因开关动作引起的电源噪声和地弹效应。其100nF的电容值是典型的中频去耦选择，配合更小容值（如0.01μF）和更大容值（如1μF或以上）的电容构成多级去耦网络，实现从低频到高频的全频段噪声抑制。
　　在电源管理系统中，该电容可用于DC-DC转换器、LDO稳压器的输入和输出端滤波，平滑电压纹波，提升电源质量。其50V额定电压使其适用于12V、24V甚至部分48V工业电源系统。在模拟信号链路中，1206B104K500NB 可用于交流耦合电容，阻隔直流分量同时传递交流信号，常见于音频放大器、传感器接口和ADC/DAC前端电路。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中的板级滤波；工业控制设备如PLC、电机驱动器中的噪声抑制；通信模块中的信号完整性保障；以及汽车电子中的辅助电源单元。由于其工作温度范围宽达-55°C至+125°C，也可用于部分车载非引擎舱环境。总之，凭借其可靠的性能和标准化参数，1206B104K500NB 成为工程师在电路设计中频繁选用的基础元件之一。

GRM31CR61E104KA12L
　　CL21B104KAFNNNE
　　C2012X7R1H104K