型号：11NM65G-U2
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大漏极电流(Id)：11A @ 25°C
　　导通电阻(Rds(on))：1.1Ω @ Vgs=10V, Id=5.5A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 4V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：280pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　封装形式：TO-220

11NM65G-U2采用了AOS成熟的超级结（Super Junction）技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域来实现更高的掺杂浓度，同时维持较高的击穿电压。相比传统平面型MOSFET，超级结技术显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了器件的整体效率。该特性使得11NM65G-U2特别适用于追求高能效的开关电源设计。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低控制器的驱动负担，并减少开关过程中的能量损耗。此外，其较低的输出电容（Coss）进一步减少了开关过程中的能量损失，尤其是在硬开关拓扑中表现优异。这些特性共同作用，使11NM65G-U2成为LLC谐振转换器和连续导通模式PFC电路的理想选择。
　　11NM65G-U2还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。其内部结构经过优化，在瞬态过压或负载突变情况下能够承受一定程度的能量冲击而不发生永久性损坏。这一特性提高了系统在异常工况下的鲁棒性，延长了整体系统的使用寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保法规的要求。
　　在制造工艺方面，AOS对11NM65G-U2实施了严格的质量控制流程，确保每一批次产品的一致性和可靠性。其TO-220封装提供了良好的散热路径，适合搭配散热片使用，适用于中高功率密度的设计场景。综合来看，11NM65G-U2凭借其高性能参数和稳健的设计，广泛应用于通信电源、服务器电源、工业电源以及新能源相关设备中。

11NM65G-U2主要应用于各类高效率、高频率的开关电源系统中。其典型应用场景包括但不限于：通信基础设施中的AC-DC电源模块，这类系统要求高功率密度和长期运行稳定性，而11NM65G-U2的低导通损耗和高耐压特性正好满足需求。
　　在服务器和数据中心电源供应单元（PSU）中，该器件常用于功率因数校正（PFC）级电路，特别是在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，其低Rds(on)和高效率可有效降低系统温升，提高整体能效等级，帮助设备达到80 PLUS钛金或更高标准。
　　此外，11NM65G-U2也广泛用于工业电源设备，如PLC电源、变频器辅助电源、医疗电源等，这些场合通常要求元器件具备较强的环境适应能力和长期可靠性。其良好的热性能和抗干扰能力使其能在恶劣工业环境中稳定工作。
　　在消费类高端电源产品中，例如大功率适配器、游戏主机电源等，该MOSFET同样表现出色。其高频开关能力支持小型化磁性元件的使用，有助于缩小整机体积。
　　另外，11NM65G-U2还可用于太阳能微逆变器、LED驱动电源以及电动车充电模块中的DC-DC转换部分，作为主开关或同步整流器件使用。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装形式增强了系统的环境适应性。

AOTF11S65 | APW7165DN | STF11NM65N | FCH11N60NF