时间：2025/12/27 9:03:01
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11NM60G-TQ2-R是一款由NCE（南京微盟电子）推出的高压MOSFET功率晶体管，属于超级结MOSFET系列，专为高效率开关电源应用设计。该器件采用先进的平面栅极工艺和超级结结构，能够在600V的高耐压下实现极低的导通电阻和优异的开关性能，从而显著降低电源系统的导通损耗和开关损耗。11NM60G-TQ2-R广泛应用于AC-DC转换器、LED照明电源、适配器、充电器、光伏逆变器以及工业电源等需要高能效和高可靠性的场合。该器件封装形式为TO-220F（单列直插式），具备良好的散热能力和电气隔离特性，适合多种PCB安装方式。其引脚配置为标准的三端MOSFET结构：G（栅极）、D（漏极）、S（源极），其中TO-220F封装的金属背板与漏极相连，可通过绝缘垫片或直接连接到散热器以提升热管理效率。作为一款绿色环保型器件，11NM60G-TQ2-R符合RoHS和无铅焊接标准，适用于现代环保电子产品制造流程。
型号：11NM60G-TQ2-R
品牌：NCE（南京微盟）
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压Vds：600V
栅源电压Vgs：±30V
连续漏极电流Id：11A（@TC=25℃）
脉冲漏极电流Idm：44A
导通电阻Rds(on)：0.78Ω（@Vgs=10V）
导通电阻Rds(on)：0.95Ω（@Vgs=10V, 典型值）
栅极电荷Qg：65nC（典型值）
输入电容Ciss：1100pF（@Vds=25V）
输出电容Coss：260pF
反向恢复时间trr：30ns
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220F
11NM60G-TQ2-R采用先进的超级结（Super Junction）技术，在600V高击穿电压下实现了极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.95Ω，最大值为0.78Ω @ Vgs=10V，这显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗，提高了整体系统效率。这种低Rds(on)特性特别适用于高功率密度设计，如高效LED驱动电源和小型化适配器中，有助于减少发热并提升可靠性。此外，超级结结构优化了电场分布，增强了器件的dv/dt抗扰能力，提升了高温下的稳定性和耐用性。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=65nC）和输入电容（Ciss=1100pF），使其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动芯片或简化驱动电路设计。同时，较低的Ciss也有助于提高开关速度，缩短开通和关断时间，进一步降低开关损耗，特别适合用于工作频率在几十kHz至数百kHz之间的开关电源拓扑，如反激式（Flyback）、LLC谐振变换器和PFC升压电路。
11NM60G-TQ2-R具备出色的热稳定性与长期可靠性。其工作结温范围可达-55℃至+150℃，可在恶劣环境温度下稳定运行。TO-220F封装不仅提供了良好的散热路径，还具备电气隔离功能（部分版本可选非隔离），便于在需要安全隔离的应用中使用。该器件通过了严格的AEC-Q101可靠性测试（若适用），并具备优秀的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，避免因电压尖峰导致的损坏。此外，其快速的反向恢复时间（trr=30ns）减少了体二极管在续流过程中的反向恢复电荷，降低了EMI干扰风险，提升了系统电磁兼容性表现。
11NM60G-TQ2-R主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合对效率、体积和可靠性有较高要求的场景。典型应用包括：通用AC-DC开关电源适配器与充电器（如手机、笔记本电脑充电器）、LED恒流驱动电源（室内/户外照明、路灯电源）、PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管、光伏微型逆变器、工业控制电源模块、电机驱动辅助电源以及服务器和通信设备的板载电源单元。由于其600V耐压等级匹配市电整流后的母线电压（约310V~400V），因此在反激式变换器（Flyback Converter）中常被用作主开关管，能够有效提升转换效率并满足能源之星、DoE Level VI等国际能效标准。在PFC电路中，该器件可在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（BCM）下工作，提供稳定的高效率升压操作。此外，该器件也适用于ZVS/ZCS软开关拓扑，得益于其快速的开关特性和低寄生参数，有助于实现更高的系统频率和更小的磁性元件尺寸。其TO-220F封装便于手工焊接与自动化生产，广泛用于中小批量及大批量电子产品制造。
NCE11N60G,NCE11N60S,STF11N60M2,FQP11N60C,SPW11N60C3
