型号：1115R1B
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：双通道肖特基二极管阵列（共阴极）
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　引脚数：3
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流反向电压（VR）：70V
　　峰值脉冲功率（Ppk）：300W（8/20μs电流波形）
　　最大钳位电压（VC）：14.4V（IPP=8.3A）
　　最大正向浪涌电流（IFSM）：3A（半正弦波，8.3ms）
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：300mA
　　最大正向压降（VF）：0.6V（在IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：≤ 1μA（在VR=70V, 25°C）
　　ESD耐受电压（人体模型HBM）：±8kV
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

1115R1B的核心特性之一在于其采用高性能硅肖特基势垒技术，这使得器件具备极低的正向导通电压（典型值仅为0.6V），显著降低了功耗并提高了系统效率。相比传统的PN结二极管，肖特基结构拥有更快的开关速度和更短的反向恢复时间，几乎可以忽略不计，因此在高频信号路径或快速瞬变事件中表现出优异的响应能力。这种低VF与快速响应的结合，使其特别适合用于电池供电设备中的电源轨保护和信号线ESD防护。
　　该器件内部集成两个独立但共用阴极的肖特基二极管，形成共阴极拓扑结构，便于实现双路信号线对地的双向瞬态抑制保护。当外部出现过压或静电冲击时，二极管迅速导通并将能量泄放到地，从而有效钳制电压，防止下游敏感IC受损。其峰值脉冲功率可达300W（基于8/20μs电流波形测试），具备较强的瞬态吸收能力，能够应对IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV）等严苛的电磁兼容性要求。
　　1115R1B还具有极低的动态电阻和寄生电容（典型值小于10pF），保证了在高速数据接口如USB、I2C、GPIO、音频线路等应用中不会引入明显的信号失真或带宽衰减。同时，SOT-23小尺寸封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。整个器件经过严格的可靠性验证，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，确保长期运行稳定性。此外，产品符合AEC-Q101车规级初步筛选标准的部分要求，可用于非关键汽车电子模块的设计参考。

1115R1B主要应用于需要高效、紧凑型瞬态电压抑制解决方案的各类电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的接口保护，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的USB端口、耳机插孔、触摸屏控制器信号线等，防止因用户接触产生的静电损坏主控芯片。在工业控制系统中，它可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路的过压防护，提升系统的抗干扰能力和现场适应性。
　　在通信领域，1115R1B被广泛部署于RS-232、I2C、SPI、UART等低速串行总线的ESD保护，保障数据传输的完整性。由于其低电容特性，也适用于模拟音频信号路径的钳位保护，避免爆音或功放损坏。此外，在电源管理单元中，它可以作为辅助性反接或反向电流阻断元件使用，尤其是在多电源切换场景下提供额外的安全冗余。
　　汽车电子方面，尽管1115R1B并非完全符合完整的AEC-Q101认证，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的非动力总成部分的信号线保护。另外，在物联网终端设备、智能家居节点和无线传感器网络中，因其小型化和高可靠性，成为理想的板级保护器件。总体而言，凡涉及低电压、低电流且需防止瞬态干扰的应用场合，1115R1B均能提供经济而有效的保护方案。

BAT54C, BAV99, SMBJ5.0CA, PESD5V0S1BB, ESDA6V1W5B