110MT16KB 时间：2025/12/26 21:19:09 阅读：13

110MT16KB是一款由Vishay Siliconix公司生产的高精度、低功耗的磁阻传感器芯片，广泛应用于工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品中的位置检测与速度测量。该器件基于巨磁阻（GMR）技术，能够精确感知磁场变化，并将其转换为标准的电信号输出。110MT16KB采用表面贴装型封装，具有出色的温度稳定性和抗干扰能力，适用于在复杂电磁环境中长期可靠运行。其内部集成了信号调理电路、偏置校准模块和差分放大器，能够在无需外部补偿元件的情况下实现高线性度和高信噪比的输出性能。此外，该芯片支持单电源供电，工作电压范围宽，便于系统集成。由于其优异的灵敏度和响应速度，110MT16KB常用于旋转编码器、齿轮齿传感、活塞位置检测等场合。该器件符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品设计需求。

参数

型号：110MT16KB
　　制造商：Vishay Siliconix
　　传感器类型：巨磁阻（GMR）传感器
　　工作电压：3.0 V 至 5.5 V
　　静态电流：典型值 4.5 mA
　　输出类型：模拟差分输出
　　灵敏度：典型值 1.5 mV/V/Oe
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　磁滞特性：内置磁滞以增强抗噪声能力
　　频率响应带宽：DC 至 1 MHz
　　非线性度：≤ ±1% FS
　　响应时间：≤ 100 ns
　　ESD保护：±2 kV HBM

特性

110MT16KB采用先进的巨磁阻（GMR）技术，具备极高的磁场灵敏度和快速响应能力，能够在微弱磁场环境下准确捕捉磁通密度的变化。其核心结构由多层纳米级铁磁材料构成，当外部磁场方向或强度发生变化时，电阻值随之发生显著改变，从而实现对磁场的高分辨率检测。该芯片内置完整的信号调理电路，包括前置放大器、温度补偿单元和偏移消除机制，确保在宽温范围内输出稳定性。差分输出结构有效抑制共模噪声，提升系统在工业现场的抗干扰能力。器件的工作频率可覆盖从直流到1MHz，适用于高速旋转目标的实时监测。其超低的响应时间（小于100纳秒）使得它非常适合用于需要高频采样的精密控制系统中。此外，110MT16KB具有内置磁滞功能，可防止在阈值附近因微小波动导致的误触发，提高判断准确性。整个芯片设计优化了功耗表现，在保持高性能的同时将静态电流控制在4.5mA以内，适合电池供电或低功耗应用场景。封装采用小型化的SOT-23形式，节省PCB空间，便于高密度布局。所有材料和工艺均符合AEC-Q100车规级可靠性标准，可在极端温度（-40°C至+150°C）下长期稳定工作，适用于发动机舱内或高温工业环境下的位置传感任务。
　　该器件无需外部调校元件即可实现即插即用，大幅简化了电路设计流程，降低了整体BOM成本。其良好的线性度（非线性度≤±1%满量程）保证了测量结果的一致性和重复性，特别适合用于闭环控制系统的反馈环节。同时，芯片具备较强的抗机械应力能力，避免因封装变形引起的零点漂移问题。通过优化内部布线和屏蔽结构，进一步提升了对外部杂散磁场的抑制能力，确保在多磁源并存环境中仍能精准识别目标信号。综上所述，110MT16KB是一款集高性能、高可靠性与易用性于一体的先进磁传感解决方案，适用于多种严苛应用环境下的非接触式检测需求。

应用

110MT16KB主要用于需要高精度磁场检测的场景，典型应用包括汽车中的曲轴位置传感器、凸轮轴位置检测、轮速感应系统以及电动助力转向（EPS）中的角度反馈；在工业领域可用于电机换向控制、线性位移测量、旋转编码器和齿轮转速监控；此外也适用于家电中的无刷直流电机控制、智能水表/气表的流量计数以及安防设备中的门磁状态监测等。其非接触式工作方式延长了设备寿命，减少了机械磨损，是传统霍尔传感器的理想升级替代方案。