型号：10N90L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏极电流（Id）：10A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值约1.0Ω（在Vgs=10V时）
　　输入电容（Ciss）：约500pF
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向恢复时间（trr）：约50ns
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V

10N90L具备优异的高压阻断能力，其900V的漏源击穿电压使其能够在高输入电压环境下稳定工作，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计。该器件在高温条件下仍能保持良好的电气性能，其最大工作结温可达150°C，配合适当的散热措施可长期可靠运行。由于采用了先进的平面或沟槽工艺技术，该MOSFET在保证高耐压的同时实现了相对较低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。
　　此外，10N90L具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关延迟和驱动损耗，提升电源系统的动态响应速度。其快速的开关特性有助于减小变压器体积和滤波元件尺寸，进而实现电源的小型化和轻量化设计。器件内部还集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于反激变换器中的能量回馈路径。
　　在可靠性方面，10N90L通过了多项工业级认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及机械冲击和振动测试，确保其在恶劣工作环境下的长期稳定性。其TO-220封装具有良好的热传导性能，可通过外接散热片进一步增强散热能力。同时，该器件对雪崩能量有一定的承受能力，在突发过压或负载突变情况下具备一定的自我保护能力，提高了整个电源系统的鲁棒性。

10N90L广泛应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）中，特别是在需要高电压隔离和高效能转换的场合。典型应用包括液晶电视和显示器的主开关电源、LED照明驱动电源、空调和冰箱等白色家电的辅助电源模块、工业控制电源、电池充电器以及电信设备中的DC-DC转换前端。由于其900V的高耐压特性，该器件非常适合用于单端反激（Flyback）和双管正激（Forward）拓扑结构中作为主开关管使用，能够在全电压输入范围内安全可靠地工作。
　　在LED恒流驱动电路中，10N90L可用于隔离式降压或反激式拓扑，提供稳定的直流输出以驱动大功率LED阵列。其快速开关能力有助于实现高精度的调光控制，支持模拟调光或PWM调光方式。此外，在不间断电源（UPS）和逆变器系统中，该MOSFET也可作为初级侧的功率开关元件，参与直流到交流的能量转换过程。
　　在工业自动化领域，10N90L被用于PLC电源模块、传感器供电单元和电机驱动器的辅助电源部分。其高可靠性和宽温度适应性使其能在严苛的工业环境中长时间运行。同时，该器件也适用于一些小型太阳能逆变器或风能转换系统的电源管理模块中，作为直流母线侧的开关元件。

ST13N90K5, FQU13N90, 13N90A, K2838, 2SK2838