型号：10N90-FL
　　制造商：onsemi（安森美）
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：40 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 5.0 V
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220F
　　安装方式：通孔（Through Hole）
　　极性结构：N-Channel Enhancement Mode

10N90-FL具备出色的高压处理能力和高效的功率转换性能，其900V的高漏源击穿电压使其能够在高压环境中可靠运行，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）下的离线式电源设计。
　　该器件的低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通状态下的功率损耗，从而减少发热并提高系统效率，尤其在持续高负载条件下表现突出。
　　得益于优化的栅极电荷（Qg）设计，10N90-FL在高频开关应用中展现出较低的驱动损耗，有利于实现更高的开关频率而不显著增加开关损耗，适用于LLC谐振变换器、反激式转换器等拓扑结构。
　　TO-220F封装不仅提供良好的机械强度，还通过绝缘底座实现电气隔离，简化了散热片安装过程，避免额外使用绝缘垫片，提升了系统的安全性和装配便利性。
　　该MOSFET具备优良的热稳定性，可在高达+150°C的结温下正常工作，结合内置的热关断保护机制，确保在异常工况下仍能维持一定级别的安全性。
　　器件经过严格的老化测试和可靠性验证，符合AEC-Q101标准要求（如适用），具备较强的抗湿热、抗振动和抗化学腐蚀能力，适合部署于工业控制、户外照明和恶劣环境中的电源设备。
　　此外，10N90-FL具有较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），有助于减小待机功耗并改善动态响应特性，对于追求绿色环保和能源效率认证的产品尤为重要。
　　其增强型N沟道结构确保在无栅极驱动信号时器件处于关断状态，提高了系统启动和关闭过程中的安全性，防止意外导通造成短路或损坏下游电路。

10N90-FL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，包括但不限于：通用交流适配器、台式计算机电源、服务器电源模块以及工业级开关电源设备，作为主开关管或辅助开关元件发挥核心作用。
　　在LED照明领域，特别是大功率LED路灯、隧道灯和商业照明驱动电源中，该器件用于构建高效稳定的恒流驱动电路，支持宽电压输入和长寿命运行需求。
　　它也常见于家电产品内部的电源部分，如空调、洗衣机、冰箱等变频控制系统的辅助电源模块，保障控制电路获得稳定直流供电。
　　此外，10N90-FL适用于各种离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）及准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构的设计，帮助工程师实现高能效、小体积和低成本的电源解决方案。
　　在太阳能微逆变器、电池充电器、电动工具电源等新兴应用中，该MOSFET凭借其高耐压、低损耗和高可靠性特点，成为优选的功率开关器件。
　　同时，也可用于电机驱动电路中的功率级开关，特别是在小功率单相感应电机或步进电机的驱动模块中实现快速响应和精确控制。
　　由于其具备良好的电磁兼容性（EMC）表现，10N90-FL还能满足严格的国际安规认证要求，适用于出口型电子产品和医疗辅助设备中的隔离电源设计。

ST10N90K5
　　FQA10N90
　　FQPF10N90