类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：10A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω（VGS=10V，ID=5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：约65ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-220F

10N80的核心优势在于其高达800V的漏源击穿电压，使其能够在高压环境中安全可靠地工作，特别适用于交流输入电压较高的开关电源系统中，例如宽电压输入范围（90VAC~265VAC）的适配器、充电器和LED驱动电源。该器件的高耐压能力确保了在电网波动或雷击浪涌等异常情况下仍能维持正常工作，提高了系统的安全裕度。
　　其次，10N80具备较低的导通电阻（RDS(on)），通常在0.75Ω左右（测试条件为VGS=10V，ID=5A），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，减少了发热，有利于提升电源转换效率并降低散热设计难度。虽然相较于现代超结MOSFET而言其导通电阻偏高，但在成本敏感型应用中仍具有较强的竞争力。
　　该MOSFET还表现出优异的开关特性，输入电容和输出电容适中，配合合适的栅极驱动电路可以实现较快的开关速度，从而减少开关损耗。这对于高频工作的电源拓扑尤为重要，有助于缩小变压器和滤波元件的体积，实现小型化设计。
　　10N80采用成熟的平面工艺制造，具备良好的生产一致性和长期可靠性。其TO-220封装便于安装散热片，增强热管理能力，适合持续大电流工作场景。此外，该器件具备一定的抗雪崩能量能力，能够在短时过压条件下不发生永久性损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　需要注意的是，10N80属于传统MOSFET，不具备内置保护机制，因此在实际应用中需外加过流保护、过压钳位和栅极驱动保护电路，以防止因误操作或负载突变导致器件损坏。总体来看，10N80是一款性价比高、技术成熟、应用广泛的高压功率MOSFET，尤其适合中低端电源产品和工业控制设备使用。

10N80主要应用于各类开关模式电源（SMPS）中，包括但不限于AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电源、LED照明驱动电源以及电视机和显示器的内置电源模块。由于其800V的高耐压特性，非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的反激式变换器中作为主开关管，能够有效应对整流后高达400V以上的母线电压，并留有足够的安全裕量。
　　在DC-DC变换器中，10N80可用于升压（Boost）、降压-升压（Buck-Boost）或半桥拓扑结构中，特别是在输入电压较高或输出功率较大的场合下发挥重要作用。此外，该器件也常用于电机驱动电路中，作为H桥或推挽结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与转向。
　　在工业控制领域，10N80可用于继电器驱动、电磁阀控制、逆变器和不间断电源（UPS）等设备中，承担功率切换任务。其稳定的电气性能和较强的环境适应能力使其在工业级应用中表现出色。
　　此外，10N80还可用于太阳能微逆变器、电焊机、高频感应加热等特殊电源系统中，作为核心功率开关元件。在这些应用中，器件需要承受较高的电压应力和频繁的开关动作，10N80凭借其高耐压和良好热稳定性成为合适的选择。
　　值得注意的是，随着第三代半导体（如SiC和GaN）器件的发展，部分高端应用已逐步转向更高效的宽禁带器件，但在成本敏感型市场和对效率要求不极端严苛的应用中，10N80依然保持着广泛的应用基础和技术生命力。

STP10NK80ZFP
　　FQP10N80
　　K10N80
　　AP10N80GP
　　IRFBC40