类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　漏极电流（Id）@25℃：10A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值260pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、TO-247

10N70的高击穿电压（700V）使其特别适合用于离线式开关电源设计，例如AC-DC转换器，能够直接连接到整流后的市电母线电压而无需额外的降压电路。其N沟道结构提供了较低的导通损耗，相较于P沟道器件，在相同尺寸下可实现更高的电流承载能力和更优的效率表现。该器件采用了优化的硅基工艺，确保了稳定的阈值电压和良好的跨导特性，有助于提高系统的动态响应和稳定性。
　　在导通状态下，10N70的导通电阻Rds(on)典型值为0.85Ω，这在700V级别的MOSFET中属于较为优秀的水平，有助于减少功率损耗并降低温升。同时，该器件具备较高的栅极阈值电压范围（2.0V~4.0V），避免了因噪声干扰导致的误开启问题，提升了系统在电磁干扰环境下的可靠性。此外，其输入电容和输出电容较小，有利于高频开关操作，减少了驱动电路的能量消耗，提高了整体电源转换效率。
　　10N70还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力，延长器件寿命。其封装形式如TO-220或TO-247具有良好的热传导路径，配合散热片使用可有效将芯片结温控制在安全范围内。该器件支持快速开关操作，适用于硬开关和软开关拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥/全桥变换器等。综合来看，10N70在高压功率开关领域展现出优异的性能平衡，是许多中高端电源设计中的理想选择之一。

10N70主要应用于各类高压开关电源系统中，尤其是在需要将交流市电转换为稳定直流电压的AC-DC电源模块中表现突出。它常被用作主开关管，在反激式或正激式拓扑中承担能量传递和电压调节的核心任务。由于其700V的耐压能力，能够适应全球范围内的宽电压输入（90VAC~265VAC），因此广泛用于通信电源、工业控制电源、LED驱动电源以及家电类开关电源中。
　　在DC-DC变换器中，10N70可用于升压（Boost）或桥式拓扑结构，特别是在高压输出需求的应用中，如激光电源、静电发生器和逆变器等设备。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的高速开关控制，尤其在中小功率的直流电机或步进电机驱动中，能够实现精确的PWM调速功能。
　　在照明领域，10N70可用于高强度气体放电灯（HID）镇流器或大功率LED驱动电源，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。在新能源系统中，如太阳能逆变器或储能系统的辅助电源部分，该MOSFET也能发挥其高可靠性和高效率的优势。另外，由于其具备良好的抗浪涌和瞬态过压能力，10N70还常用于电源保护电路和热插拔控制模块中，防止系统在启动或故障时受到过大电流冲击。总的来说，10N70凭借其高压、大电流和高效率的特点，已成为多种电力电子系统中不可或缺的关键元器件。

10N80
　　K10N70
　　FQPF10N70