类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（Max 0.9Ω @ Vgs=10V, Id=5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF @ Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：典型值350pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或快速恢复型，具体需查数据手册
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC @ Vds=500V, Id=10A, Vgs=10V
　　功耗（Pd）：125W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

10N65-ML具备出色的高压阻断能力和良好的导通性能，适用于多种高效率开关电源拓扑结构。其核心优势之一是在650V耐压等级下实现了相对较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用了优化的平面工艺技术，在保证高击穿电压的同时，有效控制了寄生电容和栅极电荷，从而减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作的可行性。
　　此外，10N65-ML具有较强的抗雪崩能力和良好的热稳定性，能够在瞬态过压或负载突变条件下保持可靠运行。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V至15V驱动信号，便于与各类PWM控制器配合使用。器件内部未集成快恢复体二极管，因此在需要续流功能的应用中，常需外接肖特基或快恢复二极管以防止反向电流冲击。
　　该MOSFET还具备较高的dv/dt和di/dt耐受能力，降低了因电压或电流突变引起的误触发风险。封装采用标准TO-220形式，具备良好的散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。同时，其引脚布局符合行业通用规范，方便在PCB设计中进行布局布线，提高了设计的灵活性和可维护性。
　　在可靠性方面，10N65-ML通过了多项工业级认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。它广泛应用于AC-DC适配器、LED驱动电源、光伏逆变器、小型UPS系统以及家电控制模块中，是一款成熟且性价比高的中功率开关器件。

10N65-ML广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，典型用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter）、正激变换器（Forward Converter）以及有源钳位反激电路等拓扑结构。由于其650V的耐压能力，特别适用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的电源设计，能够有效应对电网波动带来的高压应力。在LED恒流驱动电源中，该器件常作为主开关管使用，实现高效的电能转换与调光控制。
　　在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、电视机电源板和充电器中，10N65-ML凭借其稳定的性能和成熟的供应链被广泛采用。在工业控制领域，它可用于小型电机驱动、电磁阀控制和继电器替代方案中，提供快速响应和低功耗操作。此外，在太阳能微型逆变器和储能系统的DC-DC升压环节中，该MOSFET也可作为关键开关元件参与能量传输与调节。
　　由于其良好的热特性和较高的功率密度，10N65-ML也适用于紧凑型密封电源模块设计，尤其在自然对流散热条件下仍能保持良好温升表现。在家电产品如空调、洗衣机和微波炉的电源控制模块中，该器件展现出优异的抗干扰能力和长期运行可靠性，满足严苛的安规和EMI要求。

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　　 "FQP10N65C / FQP10N65CF",
　　 "STP10NK65ZFP",
　　 "KSE10N65MU",
　　 "AP10N65GM",
　　 "IRFPG540NPBF"
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