型号：10N60Z
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：10A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（非体二极管主导应用）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F、TO-220FP 或 I2PAK

10N60Z的核心优势在于其在高电压应用中的可靠性和效率表现。该MOSFET采用了优化的平面工艺技术，在确保高击穿电压的同时有效降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。其Rds(on)典型值为0.75Ω，在同类600V器件中处于合理水平，适用于中等功率级别的开关电路。由于具备较高的电流处理能力（连续10A），10N60Z可在多种拓扑结构中作为主开关元件使用，例如在反激式电源中实现能量传递与隔离。
　　该器件的栅极电荷（Qg）相对较低，一般在30nC左右（具体取决于测试条件），这使得驱动电路的设计更为简便，并可降低驱动IC的负载压力，进一步提升系统的整体能效。同时，较低的输入电容（Ciss）也有助于加快开关速度，缩短开通和关断时间，减少开关过程中的交越损耗。这对于高频工作的电源系统尤为重要，能够显著改善热管理和体积小型化。
　　10N60Z具备良好的热性能，其最大功耗可达150W（在理想散热条件下），并且拥有宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃），使其能够在恶劣环境温度下长期稳定运行。器件内部结构经过优化，具备一定的抗雪崩能量能力，能够在突发过压或负载突变时提供一定程度的自我保护，避免立即失效。
　　此外，该MOSFET的封装形式多为TO-220F或TO-220FP，这类封装具有良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上，广泛应用于各种工业和消费类电源产品中。虽然10N60Z并非超结MOSFET，但在成本敏感型市场中仍具有较强的竞争力，尤其是在不需要极高效率但要求稳定性的应用场景中表现出色。

10N60Z主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，包括但不限于AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源、电视机和显示器的内置电源模块等。在这些设备中，10N60Z通常作为主开关管使用，负责将输入的高压直流或整流后的交流电压进行斩波控制，实现能量的高效传输与电压变换。其600V的耐压能力足以应对大多数通用电网电压波动情况，特别是在85V~265V交流输入范围内经过整流滤波后所产生的高压直流母线（约300V~400V），具备足够的安全裕量。
　　在DC-DC转换器中，尤其是升压（Boost）或半桥/全桥拓扑中，10N60Z也可作为功率开关使用，适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及小型电动工具的电源管理单元。此外，在电机驱动电路中，如小功率风机、水泵或家用电器的电机控制模块中，该器件可用于PWM调速控制，凭借其快速开关能力和较高电流承载能力，实现精确的转速调节与能耗优化。
　　由于其具备良好的抗干扰能力和热稳定性，10N60Z也被广泛用于工业控制设备中的继电器替代方案或固态开关设计。在电磁炉、微波炉等大功率家电中，它可作为高频振荡电路的一部分，参与能量的周期性释放与控制。另外，在电池管理系统（BMS）或储能设备中，10N60Z可用于充放电回路的通断控制，保障系统的安全运行。
　　值得注意的是，尽管10N60Z不具备超低导通电阻特性，但由于其价格适中、供货稳定且技术成熟，仍然是许多传统电源设计方案中的首选器件之一。尤其在对成本控制严格但性能要求不过分严苛的应用场景中，10N60Z展现出了出色的性价比优势。

10N60C
　　10N60P
　　10A60D
　　K10N60F
　　FQA10N60C