类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.65Ω（最大值0.85Ω）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、TO-251、TO-252等

10N60/CJP10N60具有多个关键特性，使其适用于广泛的功率电子应用。首先，其漏源耐压高达600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电路设计。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.65Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，便于与各种驱动电路匹配。
　　在动态性能方面，10N60/CJP10N60具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小电源体积并提升系统响应速度。同时，其内部结构优化，具有良好的抗雪崩能力，提高了器件的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET的封装形式多样，包括TO-220、TO-251、TO-252等，适用于不同安装方式和散热需求，便于在各种电路设计中灵活使用。

10N60/CJP10N60广泛应用于多种功率电子设备中，例如：
　　? 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器中的主开关器件，支持高效能电源设计。
　　? DC-DC转换器：用于隔离式或非隔离式转换器中，实现高效的电压变换。
　　? 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等控制电路，提供可靠的功率开关。
　　? 逆变器：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，实现高效的能量转换。
　　? LED照明电源：适用于高功率LED驱动电源，支持恒流控制和高效能运行。
　　此外，该MOSFET也可用于电池充电器、家电控制电路、智能电表等需要高压功率开关的场合。

12N60C3、10N60F、15N60、FQA10N60C